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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Current - Hold (IH) (Max) Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) Voltaje - En Estado (VTM) (Max) Real - Off State (Max) Tipo scr Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
1N5257B_S00Z onsemi 1N5257B_S00Z -
RFQ
 ECAD 8823 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5257 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
2N4401TF onsemi 2N4401TF 0.3700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N4401 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
2N5770 onsemi 2N5770 -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5770 350MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N5770-NDR EAR99 8541.21.0095 2,000 15dB 15V 50mera NPN 50 @ 8 mm, 10v - 6dB @ 60MHz
MMBT2222AK onsemi Mmbt2222ak -
RFQ
 ECAD 4425 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
UMA4NT2 onsemi UMA4NT2 -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 onde * Obsoleto MA4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 3.000
FQP11N40C onsemi FQP11N40C 1.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 10.5a (TC) 10V 530mohm @ 5.25a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1090 pf @ 25 V - 135W (TC)
2SC3914-TB-E onsemi 2SC3914-TB-E 0.0700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
SZ1SMB5917BT3G-VF01 onsemi SZ1SMB5917BT3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB SZ1SMB5917 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 1.5 V 4.7 V 5 ohmios
SZT1010T1G onsemi Szt1010t1g 0.1221
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo - - - SZT1010 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - - -
TIP42AG onsemi TIP42AG 1.0700
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP42 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 6 A 700 µA PNP 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
HUFA75321D3 onsemi HUFA75321D3 -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 20A (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 20 V ± 20V 680 pf @ 25 V - 93W (TC)
FQA170N06 onsemi FQA170N06 7.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA170 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-FQA170N06 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 60 V 170A (TC) 10V 5.6mohm @ 85a, 10V 4V @ 250 µA 290 NC @ 10 V ± 25V 9350 pf @ 25 V - 375W (TC)
FQS4901TF onsemi Fqs4901tf -
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FQS4901 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 400V 450 mm 4.2ohm @ 225mA, 10V 4V @ 250 µA 7.5nc @ 10V 210pf @ 25V -
KSD288OTU onsemi Ksd288otu -
RFQ
 ECAD 1737 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSD288 25 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 55 V 3 A 50 µA (ICBO) NPN 1v @ 100 mapa, 1a 70 @ 500mA, 5V -
MMDF2C03HDR2G onsemi MMDF2C03HDR2G -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mmdf2 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 4.1a, 3a 70mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 16NC @ 10V 630pf @ 24V Puerta de Nivel Lógico
NSVDTA123EM3T5G onsemi Nsvdta123em3t5g 0.0575
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 NSVDTA123 260 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 MV a 5 mm, 10 Ma 8 @ 5 mm, 10v 2.2 kohms 2.2 kohms
MM5Z22VT1 onsemi MM5Z22VT1 -
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z2 200 MW Sod-523 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 15.4 V 22 V 55 ohmios
1N5404RLG onsemi 1N5404RLG 0.4000
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL 1N5404 Estándar Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.200 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 3 a 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
BC373RL1 onsemi Bc373rl1 -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC373 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.1V @ 250 µA, 250 mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
KSC2682OS onsemi KSC2682OS -
RFQ
 ECAD 7349 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSC2682 1.2 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 180 V 100 mA 1 µA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 100 @ 10mA, 5V 200MHz
TIP116 onsemi TIP116 -
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP116 2 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 2 A 2mera PNP - Darlington 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4V -
MCR72-6T onsemi MCR72-6T -
RFQ
 ECAD 9669 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero Un 220-3 MCR72 Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.30.0080 500 6 MA 400 V 8 A 1.5 V 100A @ 60Hz 200 µA 2 V 10 µA Puerta sensible
FPN560 onsemi FPN560 -
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO FPN5 1 W Un 226 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1.500 60 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 350mv @ 200MA, 2a 100 @ 500mA, 2V 75MHz
1N5227B_T50R onsemi 1N5227B_T50R -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5227 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 15 µA @ 1 V 3.6 V 24 ohmios
KSA1304YTU onsemi Ksa1304ytu -
RFQ
 ECAD 2722 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSA13 20 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 150 V 1.5 A 10 µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50 Ma, 500 Ma 40 @ 500mA, 10V 4MHz
MJD32CTF-ON onsemi Mjd32ctf-on -
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 1.56 W TO-252-3 (DPAK) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 0000.00.0000 3.000 100 V 3 A 50 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3MHz
KSD1588RTU onsemi KSD1588RTU -
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSD1588 2 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 60 V 7 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 500 Ma, 5a 40 @ 3a, 1v -
2N2369 onsemi 2n2369 -
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2n2369 360 MW Un 18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 500 15 V 200 MA - NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 40 @ 10mA, 1V -
2N4123TF onsemi 2N4123TF -
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N4123 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 2mA, 1V 250MHz
NVATS68301PZT4G onsemi Nvats68301pzt4g -
RFQ
 ECAD 8331 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVATS68301 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 100 V 31a (TA) 10V 75mohm @ 14a, 10v 3.5V @ 1MA 55 NC @ 10 V ± 20V 2850 pf @ 20 V - 84W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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