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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
SBRD8320G onsemi SBRD8320G -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SBRD8320 Schottky Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 600 MV @ 3 A 200 µA @ 20 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
BC517RL1G onsemi Bc517rl1g -
RFQ
 ECAD 4153 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC517 1.5 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 30 V 1 A 500NA NPN - Darlington 1V @ 100 µA, 100 mA 30000 @ 20MA, 2V 200MHz
SI9936DY onsemi Si9936dy -
RFQ
 ECAD 8822 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si9936 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5A 50mohm @ 5a, 10v 1V @ 250 µA 35nc @ 10V 525pf @ 15V -
SZMMSZ5249BT1G onsemi Szmmsz5249bt1g 0.3500
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, SZMMSZ52XXXT1G Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Szmmsz52 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
FSBB10CH120D onsemi FSBB10CH120D 35.5600
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 onde MOVIMIENTO SPM® 3 Tubo No hay para Nuevos Diseños A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (1.205 ", 30.60 mm) IGBT FSBB10 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 3 fase 10 A 1.2 kV 2500 VRMS
NRVUS230VT3G onsemi Nrvus230vt3g -
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AA, SMB NRVUS230 Estándar SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 v @ 2 a 65 ns 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 2a -
BZX55C18 onsemi BZX55C18 -
RFQ
 ECAD 7323 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C18 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 14 V 18 V 50 ohmios
MMSZ4697T1G onsemi Mmsz4697t1g 0.2200
RFQ
 ECAD 5310 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4697 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 7.6 V 10 V
RD0504T-P-TL-H onsemi RD0504T-P-TL-H -
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RD050 Estándar TP-FA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 V @ 5 A 17 ns 20 µA @ 400 V - 5A -
BZX79C51 onsemi BZX79C51 -
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C51 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 100 Ma 500 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
NTMSD3P102R2G onsemi NTMSD3P102R2G -
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 onde Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Ntmsd3 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado NTMSD3P102R2GOS EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 2.34a (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.05a, 10V 2.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 16 V Diodo Schottky (Aislado) 730MW (TA)
BU407TU onsemi Bu407tu -
RFQ
 ECAD 5791 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BU407 60 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 150 V 7 A 5 mm NPN 1V @ 500 Ma, 5a - 10MHz
NSVR0320MW2T1G onsemi NSVR0320MW2T1G 0.3800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 NSVR0320 Schottky Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 900 Ma 50 µA @ 15 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 29pf @ 5V, 1 MHz
TN2907A onsemi TN2907A -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN2907 625 MW Un 226-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1.500 60 V 800 Ma 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
MMSZ5241BT1 onsemi MMSZ5241BT1 -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ524 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 8.4 V 11 V 22 ohmios
FJN4313RBU onsemi Fjn4313rbu -
RFQ
 ECAD 5453 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN431 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 2.2 kohms 47 kohms
SB11-04HP-TR-E onsemi SB11-04HP-TR-E -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 2-SMD, J-LEAD SB11 Schottky SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1.1 A 1 ma @ 40 V 125 ° C (Máximo) 1.1a -
6385_2N2907A onsemi 6385_2n2907a -
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2907 1 W Un 18 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 1 MMA, 10V -
BZX55C15_T50R onsemi BZX55C15_T50R -
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C15 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
NSBA115EDXV6T1 onsemi NSBA115EDXV6T1 0.0500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde * Una granela Activo NSBA11 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 4.000
MMSZ4700T1G onsemi MMSZ4700T1G 0.2700
RFQ
 ECAD 102 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4700 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 9.8 V 13 V
NTD2955-1G onsemi NTD2955-1G -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD2955 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 60 V 12a (TA) 10V 180mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 55W (TJ)
FQT1N80TF-WS onsemi FQT1N80TF-WS 0.9700
RFQ
 ECAD 4846 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 Fqt1n80 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 800 V 200MA (TC) 10V 20ohm @ 100 mA, 10v 5V @ 250 µA 7.2 NC @ 10 V ± 30V 195 pf @ 25 V - 2.1W (TC)
FDMC7696 onsemi FDMC7696 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC76 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12a (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1430 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 25W (TC)
NTB75N06LT4G onsemi NTB75N06LT4G -
RFQ
 ECAD 4527 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 75A (TA) 5V 11mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250 µA 92 NC @ 5 V ± 20V 4370 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 214W (TJ)
SMMUN2213LT1G onsemi Smmun2213lt1g 0.3300
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Smmun2213 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 47 kohms
NTF5P03T3G onsemi NTF5P03T3G 1.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NTF5P03 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 3.7a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 5.2a, 10v 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
KSC2334RTU onsemi Ksc2334rtu -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC2334 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 7 A 10 µA (ICBO) NPN 600mv @ 500 Ma, 5a 40 @ 3a, 5v -
1N4149 onsemi 1N4149 0.1400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4149 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 10 Ma 4 ns 25 na @ 20 V 175 ° C (Máximo) 500mA 2pf @ 0V, 1 MHz
KSD985OSTU onsemi Ksd985ostu -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSD985 1 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 60 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 4000 @ 1a, 2v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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