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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2SB903R onsemi 2SB903R 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - 2156-2SB903R 289
NTLUD3191PZTBG onsemi Ntlud3191pztbg -
RFQ
 ECAD 3026 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta NTLUD31 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 6-udfn (1.6x1.6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 1.1a 250mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.5nc @ 4.5V 160pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MMSZ4695T1G onsemi Mmsz4695t1g -
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 6.6 V 8.7 V
RFP2N10L onsemi RFP2N10L -
RFQ
 ECAD 8449 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 RFP2N Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 2a (TC) 5V 1.05ohm @ 2a, 5v 2V @ 250 µA ± 10V 200 pf @ 25 V - 25W (TC)
MBR4015LWTG onsemi MBR4015LWTG -
RFQ
 ECAD 3408 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR4015 Schottky TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 15 V 20A 420 MV @ 20 A 5 Ma @ 15 V -55 ° C ~ 150 ° C
FBM502H10S001A onsemi FBM502H10S001A -
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo - FBM502 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 - -
NDCTR15120A onsemi NDCTR15120A 10.5735
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo NDCTR15120 - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NDCTR15120 1.700 -
NTD4960N-1G onsemi NTD4960N-1G -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD49 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTD4960N-1GOS EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 8.9a (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 15 V - 1.07W (TA), 35.71W (TC)
NVMJD7D4N04CLTWG onsemi Nvmjd7d4n04cltwg 0.7285
RFQ
 ECAD 5399 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Nvmjd7d4 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvmjd7d4n04cltwgtr EAR99 8541.29.0095 3.000 -
FDMA3027PZ-F130 onsemi FDMA3027PZ-F130 0.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 361
SBR200-16JS onsemi SBR200-16JS -
RFQ
 ECAD 4933 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SBR200 Schottky A 220 ml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 869-1023 EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 160 V 20A 850 MV @ 10 A 200 µA @ 160 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5282_T50R onsemi 1N5282_T50R -
RFQ
 ECAD 6691 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5282 Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 30,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 900 MV @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 55 V 175 ° C (Máximo) 200 MMA 2.5pf @ 0V, 1 MHz
1N5257B onsemi 1N5257B -
RFQ
 ECAD 2403 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5257 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
1SMA5935BT3 onsemi 1SMA5935BT3 -
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5935 1.5 W SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 200 Ma 500 na @ 20.6 V 27 V 23 ohmios
NTMFS010N10GTWG onsemi NTMFS010N10GTWG 1.4030
RFQ
 ECAD 1490 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 11a (TC) 10V 10.8mohm @ 31a, 10v 4V @ 164 µA 58.5 NC @ 10 V ± 20V 3950 pf @ 50 V - 3W (TC)
1N5951BRLG onsemi 1N5951BRLG -
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5951 3 W Axial descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 6,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 91.2 V 120 V 380 ohmios
TURC160TR onsemi Turc160tr 0.2400
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1
NXH100B120H3Q0PG onsemi NXH100B120H3Q0PG 90.1200
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 186 W Estándar 22-PIM (55x32.5) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH100B120H3Q0PG EAR99 8541.29.0095 24 2 Independientes Parada de Campo de Trinchera 1200 V 61 A 2.3V @ 15V, 50A 200 µA No 9.075 NF @ 20 V
NTMFD5C674NLT1G onsemi Ntmfd5c674nlt1g 3.3400
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Ntmfd5 Mosfet (Óxido de metal) 3W (TA), 37W (TC) 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 60V 11a (TA), 42a (TC) 14.4mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 25 µA 10nc @ 10V 640pf @ 25V -
KSD471AGTA onsemi Ksd471agta -
RFQ
 ECAD 3361 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSD471 800 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 130MHz
HUF75329D3S onsemi HUF75329D3S -
RFQ
 ECAD 7933 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUF75 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 55 V 20A (TC) 10V 26mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 128W (TC)
1N5353BG onsemi 1N5353BG 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5353 5 W Axial descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 12.2 V 16 V 2.5 ohmios
MMBF5459 onsemi MMBF5459 -
RFQ
 ECAD 6117 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF54 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 7pf @ 15V 25 V 4 Ma @ 15 V 2 v @ 10 na
SS16T3 onsemi SS16T3 -
RFQ
 ECAD 4650 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS16 Schottky SMA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 720 MV @ 1 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
FDD3580 onsemi FDD3580 -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD358 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 7.7a (TA) 6V, 10V 29mohm @ 7.7a, 10V 4V @ 250 µA 49 NC @ 10 V ± 20V 1760 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 42W (TC)
TE02486 onsemi TE02486 1.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde * Una granela Activo - Rohs no conforme 3 (168 Horas) Afectados de Alcanzar EAR99 8542.39.0001 1
NGTB30N120IHRWG onsemi NGTB30N120IHRWG -
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NGTB30 Estándar 384 W To-247 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 30a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1200 V 60 A 120 A 2.5V @ 15V, 30a 700 µJ (apaguado) 225 NC -/230ns
MMBD1401A onsemi Mmbd1401a -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd14 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 175 V 1 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 175 V 150 ° C (Máximo) 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
HUFA76419D3S onsemi HUFA76419D3S -
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 37mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 27.5 NC @ 10 V ± 16V 900 pf @ 25 V - 75W (TC)
FQU13N10TU onsemi FQU13N10TU -
RFQ
 ECAD 1271 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU1 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 100 V 10a (TC) 10V 180mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 450 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 40W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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