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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Actual Voltaje Voltaje - Aislamiente Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MM3Z24VST1G onsemi Mm3z24vst1g 0.1500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MM3Z24 300 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 16.8 V 24.25 V 70 ohmios
SBE808-TL-W onsemi SBE808-TL-W -
RFQ
 ECAD 7974 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano SBE808 Schottky 5 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 15 V 1A 540 MV @ 1 A 10 ns 3 µA @ 6 V -55 ° C ~ 150 ° C
NVTFS6H860NLWFTAG onsemi Nvtfs6h860nlwftag 1.1400
RFQ
 ECAD 2922 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs6 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 8.1a (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 5a, 10v 2V @ 30 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 610 pf @ 40 V - 3.1W (TA), 42W (TC)
NVD5802NT4G-TB01 onsemi NVD5802NT4G-TB01 -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVD580 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 16.4a (TA), 101a (TC) 5V, 10V 4.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 12 V - 2.5W (TA), 93.75W (TC)
BAL99LT1G onsemi Bal99lt1g 0.2200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Bal99 Estándar SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 70 V 1 V @ 50 Ma 6 ns 2.5 µA @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C 100mA 1.5pf @ 0v, 1 MHz
NTB5426NT4G onsemi Ntb5426nt4g -
RFQ
 ECAD 5989 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB54 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 215W (TC)
1SMB5945BT3G onsemi 1SMB5945BT3G 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5945 3 W SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 51.7 V 68 V 120 ohmios
FSAM50SM60A onsemi FSAM50SM60A -
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 onde SPM® 2 Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Módulo de 32 Potencias (1.370 ", 34.80 mm) IGBT FSAM50 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 48 Inversor de 3 fase 50 A 600 V 2500 VRMS
SZNZ3F75VT1G onsemi Sznz3f75vt1g -
RFQ
 ECAD 8196 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Sznz3 800 MW Sod-323fl descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.3 V @ 10 Ma 50 na @ 52.5 V 75 V 155 ohmios
FJD5304DTF onsemi Fjd5304dtf 0.8800
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FJD5304 30 W Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 500 Ma, 2.5a 8 @ 2a, 5v -
BBL4001-1E onsemi BBL4001-1E -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BBL4001 Mosfet (Óxido de metal) TO20-3 FullPack/TO220F-3SG descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 74a (TA) 4V, 10V 6.1mohm @ 37a, 10v 2.6V @ 1MA 135 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 20 V - 2W (TA), 35W (TC)
1N977B onsemi 1N977B -
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N977 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 105 ohmios
2SA608NG-NPA-AT onsemi 2SA608NG-NPA-AT -
RFQ
 ECAD 5494 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2SA608 500 MW TO-92 (TO-226) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1.500 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 280 @ 1 MMA, 6V 200MHz
1N5250B onsemi 1N5250B 0.1600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5250 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
FQPF4N90C onsemi FQPF4N90C -
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 4A (TC) 10V 4.2ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 960 pf @ 25 V - 47W (TC)
KSA642CYBU onsemi Ksa642cybu -
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA642 400 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 30 mA, 300 mA 120 @ 50mA, 1V -
FES16AT onsemi Fes16at -
RFQ
 ECAD 6286 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 Fes16 Estándar Un 220-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 16A 170pf @ 4V, 1MHz
FDMC7696 onsemi FDMC7696 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC76 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12a (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1430 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 25W (TC)
BZX79C5V6 onsemi BZX79C5V6 0.1500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79C5 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
PZTA14 onsemi PZTA14 0.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZTA14 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
ES1B onsemi ES1B 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 1 A 15 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
1N4151 onsemi 1N4151 -
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4151 Estándar Do-35 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 50 Ma 4 ns 50 na @ 50 V 175 ° C (Máximo) 150 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
FDLL485B onsemi Fdll485b 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 FDLL485 Estándar Sod-80 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2.500 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 180 V 1 V @ 100 Ma 25 na @ 180 V -65 ° C ~ 200 ° C 200 MMA 6pf @ 0v, 1 MHz
FAM65V05DF1 onsemi FAM65V05DF1 53.8600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 onde Auto SPM® Tubo Activo A Través del Aguetero Módulo de 27 Potencias (0.300 ", 7.62 mm) IGBT FAM65V05 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 60 3 fase 50 A 650 V 2500 VRMS
NVD4806NT4G-VF01 onsemi Nvd4806nt4g-vf01 0.4304
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NVD4806 Mosfet (Óxido de metal) Dpak-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-nvd4806nt4g-vf01tr EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11.3a (TA), 79A (TC) 4.5V, 11.5V 6mohm @ 30A, 11.5V 2.5V @ 250 µA 37 NC @ 11.5 V ± 20V 2142 pf @ 12 V - 1.4W (TA), 68W (TC)
MMBZ5250BLT3 onsemi Mmbz5250blt3 1.0000
RFQ
 ECAD 1075 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 10,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
1N4003RL onsemi 1N4003RL -
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4003 Estándar Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
MBR10100H onsemi MBR10100H -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 onde Switchmode ™ Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1010 Schottky Un 220-2 - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 10 A 100 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 10A -
1N3070TR onsemi 1N3070TR 0.3100
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N3070 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 175 V 175 ° C (Máximo) 500mA 5PF @ 0V, 1MHz
NVMFS6B05NWFT1G onsemi Nvmfs6b05nwft1g -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 114a (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 16V 3100 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 165W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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