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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f) Drenaje real (ID) - Max
KSB1149YS onsemi KSB1149ys -
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSB11 1.3 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 100 V 3 A 10 µA (ICBO) PNP - Darlington 1.2V @ 1.5mA, 1.5a 4000 @ 1.5a, 2v -
FQP30N06 onsemi FQP30N06 1.5100
RFQ
 ECAD 3788 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP30 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 30A (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 25V 945 pf @ 25 V - 79W (TC)
HGT1S7N60C3DS9A onsemi HGT1S7N60C3DS9A -
RFQ
 ECAD 8265 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HGT1S7N60 Estándar 60 W D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 480V, 7a, 50ohm, 15V 37 ns - 600 V 14 A 56 A 2V @ 15V, 7a 165 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) 23 NC -
2SD1803S-H onsemi 2SD1803S-H 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SD1803 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mA, 3a 140 @ 500mA, 2V 180MHz
MPSA28_D27Z onsemi MPSA28_D27Z -
RFQ
 ECAD 1815 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA28 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 80 V 800 Ma 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
1N914B_T50A onsemi 1N914B_T50A -
RFQ
 ECAD 3534 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N914B Estándar Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
SMMUN2111LT3G onsemi Smmun2111lt3g 0.3300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Smmun2111 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V 10 kohms 10 kohms
BC33825TA onsemi Bc33825ta 0.3200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC338 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
BC547ATAR onsemi BC547ATAR -
RFQ
 ECAD 8497 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC547 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
NTP18N06G onsemi NTP18N06G -
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ntp18n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP18N06GOS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 15A (TC) 10V 90mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 48.4W (TC)
2N3906_D81Z onsemi 2N3906_D81Z -
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N3906 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
PN5179_D75Z onsemi PN5179_D75Z -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN517 350MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 15dB 12V 50mera NPN 25 @ 3mA, 1V 2GHz 5DB @ 200MHz
FCP400N80Z onsemi FCP400N80Z 3.6500
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 onde Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP400 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 4.5V @ 1.1MA 56 NC @ 10 V ± 20V 2350 pf @ 1000 V - 195W (TC)
KSB744AYSTU onsemi Ksb744aystu -
RFQ
 ECAD 5617 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSB74 1 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 60 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 2V @ 150MA, 1.5a 160 @ 500 Ma, 5V 45MHz
SBRS8120T3G-VF01 onsemi SBRS8120T3G-VF01 -
RFQ
 ECAD 5086 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SBRS8120 Schottky SMB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 600 MV @ 1 A 1 ma @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
SMMUN2211LT1G onsemi Smmun2211lt1g 0.3300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Smmun2211 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V 10 kohms 10 kohms
2SA1827S-AY onsemi 2SA1827S-AY -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - A Través del Aguetero A 220-3 sin pestaña 2SA1827 1.5 W FLP - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 4 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 500 mA, 5V 180MHz
FAM65HR51DS2 onsemi FAM65HR51DS2 -
RFQ
 ECAD 8785 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero FAM65 135 W Estándar descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 12 Inversor de Medio Puente - 650 V 33 A - No 4.86 NF @ 400 V
2SB815-7-TB-E onsemi 2SB815-7-TB-E 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 125 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SB815 200 MW 3-CP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15 V 700 Ma 100NA (ICBO) PNP 80mv @ 10 ma, 100 ma 300 @ 50mA, 2V 250MHz
BC856BMTF onsemi Bc856bmtf -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 150MHz
KSC3488GTA onsemi Ksc3488gta -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto KSC3488 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 25 V 300 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 30 mA, 300 mA 200 @ 50mA, 1V -
KSC2001GTA onsemi KSC2001GTA -
RFQ
 ECAD 8533 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC2001 600 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 70 mm, 700 mA 200 @ 100 mapa, 1v 170MHz
FQI7N10TU onsemi Fqi7n10tu -
RFQ
 ECAD 6072 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA FQI7 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 7.3a (TC) 10V 350mohm @ 3.65a, 10V 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 250 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
NZ3F18VT1G onsemi NZ3F18VT1G -
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.39% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F NZ3F18 800 MW Sod-323fl descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.3 V @ 10 Ma 50 na @ 12.5 V 18 V 60 ohmios
GFA008H-L05E-PRD onsemi GFA008H-L05E-PRD -
RFQ
 ECAD 9856 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 488-GFA008H-L05E-PRD Obsoleto 1
2SK771-5-TB-E onsemi 2SK771-5-TB-E -
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK771 200 MW 3-CP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 40 V 9PF @ 10V 5 Ma @ 10 V 20 Ma
KSC1730YBU onsemi Ksc1730ybu -
RFQ
 ECAD 8424 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC1730 250MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 - 15V 50mera NPN 120 @ 5mA, 10V 1.1 GHz -
FDMC86324 onsemi FDMC86324 0.7117
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMC86 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 7a (TA), 20a (TC) 6V, 10V 23mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 965 pf @ 50 V - 2.3W (TA), 41W (TC)
NVMFS5832NLWFT1G onsemi Nvmfs5832nlwft1g -
RFQ
 ECAD 2703 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS5832 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 21a (TA) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 250 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 127W (TC)
KSB772OS onsemi KSB772OS -
RFQ
 ECAD 5028 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSB77 1 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250 30 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 100 @ 1a, 2v 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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