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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SS8550DBU onsemi Ss8550dbu 0.4500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS8550 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 80mA, 800 mA 160 @ 100mA, 1V 200MHz
NTD4906N-1G onsemi NTD4906N-1G -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD49 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 10.3a (TA), 54A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1932 pf @ 15 V - 1.38W (TA), 37.5W (TC)
EMH2401-TL-E onsemi EMH2401-TL-E 0.1500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 3.000
FDP8870-F085 onsemi FDP8870-F085 -
RFQ
 ECAD 7041 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP88 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 19a (TA), 156a (TC) 4.5V, 10V 4.1mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 132 NC @ 10 V ± 20V 5200 pf @ 15 V - 160W (TC)
KSH3055TM onsemi Ksh3055tm -
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ksh30 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 60 V 10 A 50 µA NPN 8V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
KSC2784FTA onsemi Ksc2784fta -
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto KSC2784 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 300 @ 1 Mapa, 6V 110MHz
FJP5021OV onsemi FJP5021ov -
RFQ
 ECAD 6858 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FJP5021 50 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 500 V 5 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 20 @ 600mA, 5V 18mhz
BC33740BU onsemi Bc33740bu 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
MM5Z43VT1 onsemi MM5Z43VT1 -
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-79, SOD-523 MM5Z4 200 MW Sod-523 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 30.1 V 43 V 150 ohmios
MSD6100RLRAG onsemi Msd6100rlrag -
RFQ
 ECAD 9133 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MSD61 Estándar TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 2,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 100 V 200MA (DC) 1.1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 135 ° C
NDC7001C onsemi NDC7001C 0.4600
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NDC7001 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 60V 510 Ma, 340 Ma 2ohm @ 510 mm, 10v 2.5V @ 250 µA 1.5nc @ 10V 20pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
SZBZX84C11ET1G onsemi Szbzx84c11et1g 0.0358
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Szbzx84 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
MMBZ5231BLT1 onsemi Mmbz5231blt1 -
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ52 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
FDC640P onsemi FDC640P 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC640 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.5a (TA) 2.5V, 4.5V 53mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 13 NC @ 4.5 V ± 12V 890 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
NTLJF4156NTAG onsemi Ntljf4156ntag 0.5800
RFQ
 ECAD 1536 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJF4156 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 2.5a (TJ) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V ± 8V 427 pf @ 15 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
NDD03N50Z-1G onsemi NDD03N50Z-1G -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NDD03 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 500 V 2.6a (TC) 10V 3.3ohm @ 1.15a, 10V 4.5V @ 50 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 274 pf @ 25 V - 58W (TC)
NVTFWS002N04CTAG onsemi Nvtfws002n04tag 1.0027
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfws002 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NVTFWS002N04CTAG-488 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 27a (TA), 136a (TC) 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 90 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 3.2W (TA), 85W (TC)
2SJ635-TL-E onsemi 2SJ635-TL-E 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) TP - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2156-2SJ635-TL-E EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 12a (TA) 4V, 10V 60mohm @ 6a, 10v 2.6V @ 1MA 45 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 20 V - 1W (TA), 30W (TC)
MMBFJ212 onsemi Mmbfj212 -
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 25 V Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj2 - Jfet Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 N-canal 40mera - - -
FQPF2N40 onsemi FQPF2N40 -
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF2 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 1.1a (TC) 10V 5.8ohm @ 550mA, 10V 5V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 30V 150 pf @ 25 V - 16W (TC)
FQP6N40C onsemi FQP6N40C -
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 73W (TC)
2SA1706S-AN onsemi 2SA1706S-A -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SA1706 1 W 3-NMP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 50 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 1a 100 @ 100 maja, 2v 150MHz
FQA7N90M_F109 onsemi FQA7N90M_F109 -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA7 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 7a (TC) 10V 1.8ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 210W (TC)
2SD1625-TD-E onsemi 2SD1625-TD-E 0.1900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 4.000
MR752 onsemi MR752 -
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Botón, axial MR75 Estándar Botón de Microdo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 900 MV @ 6 A 25 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
FFPF06UP20STU onsemi Ffpf06up20stu -
RFQ
 ECAD 3194 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero FFPF06 Estándar TO20F-2L descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 6 a 31 ns 100 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
1N5402 onsemi 1N5402 -
RFQ
 ECAD 1690 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5402 Estándar Do-201ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 v @ 3 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
NGTD20T120F2SWK onsemi NGTD20T120F2SWK -
RFQ
 ECAD 6136 0.00000000 onde - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Ngtd20 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 548 - Parada de Campo de Trinchera 1200 V 100 A 2.4V @ 15V, 20a - -
IRL530A onsemi IRL530A -
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL53 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 14a (TC) 5V 120mohm @ 7a, 5V 2V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 20V 755 pf @ 25 V - 62W (TC)
MMSZ4V7ET1 onsemi Mmsz4v7et1 -
RFQ
 ECAD 2179 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 Mmsz4v 500 MW SOD-123 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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