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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
KSD1021YTA onsemi Ksd1021yta -
RFQ
 ECAD 8323 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto KSD1021 350 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 100mA, 1V 130MHz
FDP150N10A onsemi FDP150N10A -
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 50A (TC) 10V 15mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 50 V - 91W (TC)
NTBLS1D1N08H onsemi NTBLS1D1N08H 10.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN NTBLS1 Mosfet (Óxido de metal) 8 HPSOF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 41a (TA), 351A (TC) 10V 1.05mohm @ 50A, 10V 4V @ 650 µA 166 NC @ 10 V ± 20V 11200 pf @ 40 V - 4.2W (TA), 311W (TC)
MJF44H11G onsemi Mjf44h11g 2.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MJF44 2 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 80 V 10 A 1 µA NPN 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 50MHz
BC80825MTF onsemi BC80825MTF -
RFQ
 ECAD 7069 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC808 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
NSBC143TPDXV6T1G onsemi NSBC143TPDXV6T1G 0.4200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC143 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 160 @ 5MA, 10V - 4.7 kohms -
FJNS3212RTA onsemi Fjns3212rta -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS32 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 47 kohms
MBRA210LT3H onsemi Mbra210lt3h -
RFQ
 ECAD 4925 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA MBRA210 Schottky SMA - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 10 V 350 MV @ 2 A 700 µA @ 10 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a -
NTJD4001NT1G onsemi Ntjd4001nt1g 0.3800
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJD4001 Mosfet (Óxido de metal) 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 250 Ma 1.5ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
1PMT5920BT1G onsemi 1PMT5920BT1G 0.7000
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5920 500 MW Powermite descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.25 V @ 200 Ma 5 µA @ 4 V 6.2 V 2 ohmios
SS16HE onsemi Ss16he 0.4200
RFQ
 ECAD 465 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano SS16 Schottky Sod-323he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 680 MV @ 1 A 8.3 ns 50 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 43pf @ 4V, 1MHz
BC237G onsemi Bc237g -
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC237 350 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 45 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 380 @ 2mA, 5V 200MHz
NVMFS5C456NLWFAFT3G onsemi NVMFS5C456NLWFAFT3G 0.8023
RFQ
 ECAD 6855 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 22a (TA), 87a (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10v 2V @ 50 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 55W (TC)
SCR5064RLRM onsemi Scr5064rlrm 0.0900
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 onde * Una granela Activo SCR5064 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.39.0001 1
BC33716TFR onsemi BC33716TFR -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC337 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
KSP26TA onsemi Ksp26ta -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSP26 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V -
PZT2222AT3G onsemi PZT222222AT3G 0.4500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PZT2222 1.5 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 40 V 600 mA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
KSD560RTU onsemi Ksd560rtu -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSD560 1.5 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 2000 @ 3a, 2v -
BD678G onsemi Bd678g -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD678 40 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 60 V 4 A 500 µA PNP - Darlington 2.5V @ 30mA, 1.5a 750 @ 1.5a, 3V -
NRVB830MFST1G onsemi NRVB830MFST1G 0.3526
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NRVB830 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 700 MV @ 8 A 200 µA @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 8A -
NVTJD4001NT2G onsemi Nvtjd4001nt2g -
RFQ
 ECAD 1790 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Nvtjd40 Mosfet (Óxido de metal) 272MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 250 Ma 1.5ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA 1.3nc @ 5V 33pf @ 5V -
1SMB5923BT3 onsemi 1SMB5923BT3 -
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5923 3 W SMB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1.5 V @ 200 Ma 5 µA @ 6.5 V 8.2 V 3.5 ohmios
MMBD4148CA onsemi Mmbd4148ca 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd4148 Estándar Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 100 V 200 MMA 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUN5335DW1T2G onsemi MUN5335DW1T2G 0.2500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mun5335 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 2.2 kohms 47 kohms
FDS8926A onsemi FDS8926A -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 5.5a 30mohm @ 5.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NVF5P03T3G onsemi Nvf5p03t3g 0.9600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NVF5P03 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 3.7a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 5.2a, 10v 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
SS14T3G onsemi Ss14t3g -
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS14 Schottky SMA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 470 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MPSA18RLRAG onsemi Mpsa18rlrag -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA18 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 500 @ 10mA, 5V 160MHz
SBAS16HT3G onsemi Sbas16ht3g 0.3400
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 SBAS16 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1.25 V @ 150 Ma 6 ns 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 2pf @ 0V, 1 MHz
BAS16HT1H onsemi BAS16HT1H 0.0200
RFQ
 ECAD 243 0.00000000 onde * Una granela Activo BAS16 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8541.10.0050 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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