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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
MMFZ2V7T3G onsemi Mmfz2v7t3g -
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - Montaje en superficie SOD-123 Mmfz2v 500 MW SOD-123 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 2.7 V
S1GFL onsemi S1gfl 0.4400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F S1g Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 1 a 2 µs 1 µA @ 400 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 4PF @ 4V, 1MHz
NTMD6N02R2 onsemi NTMD6N02R2 -
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMD6 Mosfet (Óxido de metal) 730MW 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTMD6N02R2OS EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 3.92a 35mohm @ 6a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1100pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
NGTD15R65F2SWK onsemi NGTD15R65F2SWK -
RFQ
 ECAD 1833 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Morir NGTD15 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 - 650 V 2.9 V @ 25 A 1 µA @ 650 V 175 ° C (Máximo) - -
1N758A_S00Z onsemi 1N758A_S00Z -
RFQ
 ECAD 5033 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N758 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 1 V 10 V 17 ohmios
MBR340RL onsemi MBR340RL -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero DO-201AA, DO-27, AXIAL MBR340 Schottky Axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 600 MV @ 3 A 600 µA @ 40 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
2SB1216S-E onsemi 2SB1216S-E -
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1216 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 100 V 4 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 140 @ 500 mA, 5V 130MHz
1N5931BG onsemi 1N5931BG -
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5931 3 W Axial descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2,000 1.5 V @ 200 Ma 1 µA @ 13.7 V 18 V 12 ohmios
MBR1645H onsemi MBR1645H -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1645 Schottky Un 220-2 - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 16 A 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
HUFA76407D3ST onsemi HUFA76407D3ST -
RFQ
 ECAD 8717 0.00000000 onde UltraFet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
BC307BZL1G onsemi Bc307bzl1g -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC307 350 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 15NA PNP 250 MV @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 280MHz
NTMFS4H02NFT3G onsemi Ntmfs4h02nft3g -
RFQ
 ECAD 9835 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 37a (TA), 193A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 30a, 10v 2.1V @ 250 µA 40.9 NC @ 10 V ± 20V 2652 pf @ 12 V - 3.13W (TA), 83W (TC)
FDS6812A onsemi FDS6812A -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS68 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 19NC @ 4.5V 1082pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDB42AN15A0-F085 onsemi FDB42AN15A0-F085 -
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB42 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 35A (TC) 10V 42mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2040 pf @ 25 V - 150W (TC)
MBRS340T3 onsemi MBRS340T3 -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AB, SMC MBRS340 Schottky SMC descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 2 Ma @ 40 V 4A -
FDD107AN06LA0 onsemi Fdd107an06la0 -
RFQ
 ECAD 7248 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD107 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 3.4a (TA), 10.9a (TC) 5V, 10V 91mohm @ 10.9a, 10v 3V @ 250 µA 5.5 NC @ 5 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 25W (TC)
1N4937GP onsemi 1N4937GP -
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4937 Estándar Do-41 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 1 a 150 ns 5 µA @ 600 V -50 ° C ~ 150 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
CPH3212-TL-E onsemi CPH3212-TL-E 0.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 CPH3212 900 MW 3-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 150mv @ 40 mm, 2a 200 @ 500mA, 2V 330MHz
FQI4N25TU onsemi Fqi4n25tu -
RFQ
 ECAD 4615 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi4 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 3.6a (TC) 10V 1.75ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250 µA 5.6 NC @ 10 V ± 30V 200 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 52W (TC)
MBRS320T3G onsemi MBRS320T3G 0.6000
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC MBRS320 Schottky SMC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MBRS320T3GOSTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 3 A 2 Ma @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
MJW21193 onsemi MJW21193 -
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 MJW21 200 W TO-247-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MJW21193OS EAR99 8541.29.0095 30 250 V 16 A 100 µA PNP 4V @ 3.2a, 16a 20 @ 8a, 5v 4MHz
SBRA8160T3G onsemi Sbra8160t3g -
RFQ
 ECAD 1313 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie DO-214AC, SMA SBRA81 Schottky SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 720 MV @ 1 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
NTLUS3A18PZTAG onsemi Ntlus3a18pztag -
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 onde µCool ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Ntlus3 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfn (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 5.1a (TA) 1.5V, 4.5V 18mohm @ 7a, 4.5V 1V @ 250 µA 28 NC @ 4.5 V ± 8V 2240 pf @ 15 V - 700MW (TA)
MMBTA70LT1 onsemi MMBTA70LT1 -
RFQ
 ECAD 6118 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta70 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 40 @ 5 MMA, 10V 125MHz
BD682G onsemi Bd682g 0.9200
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD682 40 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 100 V 4 A 500 µA PNP - Darlington 2.5V @ 30mA, 1.5a 750 @ 1.5a, 3V -
2N5172_D26Z onsemi 2N5172_D26Z -
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5172 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 100 @ 10mA, 10V -
MJE5852 onsemi MJE5852 -
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 MJE5852 80 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MJE5852OS EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8 A - PNP 5V @ 3a, 8a 5 @ 5a, 5v -
1N5249B_T50A onsemi 1N5249B_T50A -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5249 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 100 na @ 14 V 19 V 23 ohmios
FDA15N65 onsemi FDA15N65 -
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FDA15 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 16a (TC) 10V 440mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 3095 pf @ 25 V - 260W (TC)
2SC3142-3-TB-E onsemi 2SC3142-3-TB-E 0.0700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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