SIC
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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTTS2P02R2G onsemi NTTS2P02R2G -
RFQ
 ECAD 4505 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) NTTS2P Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 20 V 2.4a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 2.4a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 18 NC @ 4.5 V ± 8V 550 pf @ 16 V - 780MW (TA)
2N7002DW onsemi 2N7002DW 0.4600
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) 200MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 115 Ma 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
BC846BDW1T1 onsemi Bc846bdw1t1 0.0200
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto BC846 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
KSC2335RTU onsemi Ksc2335rtu -
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC2335 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 7 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 20 @ 1a, 5v -
2SC5069-TD-E onsemi 2SC5069-TD-E 0.1900
RFQ
 ECAD 152 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 1,000
MCH3360-TL-E-ON onsemi MCH3360-TL-E-ON -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 onde * Una granela Activo MCH3360 - - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 3.000 -
TN6719A_D75Z onsemi TN6719A_D75Z -
RFQ
 ECAD 3223 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) TN6719 1 W Un 226 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 300 V 200 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 3 mm, 30 mA 40 @ 30mA, 10V -
MBR20H150CTH onsemi MBR20H150CTH -
RFQ
 ECAD 7827 0.00000000 onde Switchmode ™ Una granela Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20H150 Schottky Un 220 - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 870 MV @ 10 A 50 µA @ 150 V -20 ° C ~ 150 ° C
MPSH24 onsemi MPSH24 -
RFQ
 ECAD 4222 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSH24 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MPSH24-NDR EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN - 30 @ 8 mm, 10v 400MHz
MPS3638AG onsemi MPS3638AG -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS363 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MPS3638AGOS EAR99 8541.21.0075 5,000 25 V 500 mA 35NA PNP 1v @ 30 mm, 300 mA 20 @ 300mA, 2V 150MHz
FCP9N60N-F102 onsemi FCP9N60N-F102 -
RFQ
 ECAD 1053 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCP9N60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F - ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 385mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1240 pf @ 100 V - 83.3W (TC)
MPSA42_J18Z onsemi MPSA42_J18Z -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSA42 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2 mm, 20 mm 40 @ 30mA, 10V 50MHz
FFSB3065B onsemi FFSB3065B 7.4100
RFQ
 ECAD 9348 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FFSB3065 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY D²pak-2 (un 263-2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 650 V 1.7 V @ 30 A 0 ns 40 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 73a 1280pf @ 1V, 100kHz
FQD6N50CTF onsemi Fqd6n50ctf -
RFQ
 ECAD 4636 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd6 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 500 V 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 61W (TC)
BC817-40WT1G onsemi BC817-40WT1G 0.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC817 460 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
BC548BTFR onsemi Bc548btfr -
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC548 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FSB6726 onsemi FSB6726 -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FSB672 500 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 30 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 50 @ 1a, 1v -
MM3Z62VT1 onsemi MM3Z62VT1 0.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde - Una granela Activo ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 300 MW Sod-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 43.4 V 62 V 215 ohmios
BZX55C15 onsemi BZX55C15 -
RFQ
 ECAD 6276 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto ± 6% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55C15 500 MW Do-35 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
KSB834YTU onsemi Ksb834ytu -
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSB834 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 3 A 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 300 Ma, 3a 100 @ 500 mA, 5V 9MHz
MPSA12_D26Z onsemi MPSA12_D26Z -
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA12 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 1.2 A 100na NPN - Darlington 1V @ 10 µA, 10 Ma 20000 @ 10mA, 5V -
BC848ALT1 onsemi Bc848alt1 -
RFQ
 ECAD 8635 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto BC848 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
SDTC124EET1G onsemi Sdtc124eet1g 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 Sdtc124 200 MW SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 60 @ 5 mm, 10v 22 kohms 22 kohms
NTD80N02-001 onsemi NTD80N02-001 -
RFQ
 ECAD 5518 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD80 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 24 V 80a (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 80a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 4.5 V ± 20V 2600 pf @ 20 V - 75W (TC)
2N6428ABU onsemi 2n6428abu -
RFQ
 ECAD 5131 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N6428 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 200 MA 25NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 250 @ 100 µA, 5V 700MHz
BC212_D27Z onsemi BC212_D27Z -
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC212 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 300 mA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 60 @ 2mA, 5V -
KSD363RTU onsemi Ksd363rtu 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSD363 40 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 120 V 6 A 1MA (ICBO) NPN 1v @ 100 mapa, 1a 40 @ 1a, 5v 10MHz
2N5401_J05Z onsemi 2N5401_J05Z -
RFQ
 ECAD 5000 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5401 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1.500 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 400MHz
NGTD13T65F2WP onsemi NGTD13T65F2WP 1.8841
RFQ
 ECAD 7678 0.00000000 onde - Una granela La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir NGTD13 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-NGTD13T65F2WP EAR99 8541.29.0095 1 - Parada de Campo de Trinchera 650 V 120 A 2.2V @ 15V, 30a - -
BD1756STU onsemi Bd1756stu -
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD175 30 W A-126-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 45 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 800mv @ 100 mm, 1a 40 @ 150mA, 2V 3MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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