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Productos de semiconductoros discretos (26937)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FDPF12N60NZ onsemi FDPF12N60NZ 2.4000
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1676 pf @ 25 V - 39W (TC)
FDD18N20LZ onsemi FDD18N20LZ 1.8800
RFQ
 ECAD 4986 0.00000000 onde Unifet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD18N20 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 16a (TC) 5V, 10V 125mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1575 pf @ 25 V - 89W (TC)
FQP12N60C onsemi FQP12N60C 3.1900
RFQ
 ECAD 704 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FQP12N60C EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 2290 pf @ 25 V - 225W (TC)
NVD6824NLT4G-VF01 onsemi Nvd6824nlt4g-vf01 1.6700
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Nvd6824 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 8.5a (TA), 41a (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 3468 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 90W (TC)
NTLUS4C12NTAG onsemi Ntlus4c12ntag -
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Ntlus4 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfn (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 6.8a (TA) 3.3V, 10V 9mohm @ 9a, 10v 2.1V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 1172 pf @ 15 V - 630MW (TA)
FDC642P_SB4N006 onsemi FDC642P_SB4N006 -
RFQ
 ECAD 2007 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto FDC642 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 3.000 -
NTLJS3180PZTBG onsemi Ntljs3180pztbg -
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJS31 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 1.5V, 4.5V 38mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 250 µA 19.5 NC @ 4.5 V ± 8V 1100 pf @ 16 V - 700MW (TA)
FDP10AN06A0 onsemi Fdp10an06a0 -
RFQ
 ECAD 4009 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 12A (TA), 75A (TC) 6V, 10V 10.5mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 1840 pf @ 25 V - 135W (TC)
FCP290N80 onsemi FCP290N80 4.9000
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 onde Superfet® II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP290 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 1.7MA 75 NC @ 10 V ± 20V 3205 pf @ 100 V - 212W (TC)
NTMFS4C024NT1G onsemi NTMFS4C024NT1G 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 21.7a (TA), 78a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1972 pf @ 15 V - 2.57W (TA), 33W (TC)
KSA931OTA onsemi Ksa931ota -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) KSA931 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 70 @ 50 mm, 2v 100MHz
FQH44N10-F133 onsemi FQH44N10-F133 -
RFQ
 ECAD 3098 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FQH44N10 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 100 V 48a (TC) 10V 39mohm @ 24a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 25 V - 180W (TC)
NTTFS4985NFTAG onsemi Nttfs4985nftag -
RFQ
 ECAD 1240 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4985 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 16.3a (TA), 64A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 29.4 NC @ 10 V ± 20V 2075 pf @ 15 V - 1.47W (TA), 22.73W (TC)
NTB65N02RT4 onsemi NTB65N02RT4 -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB65 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTB65N02RT4OSTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 25 V 65a (TC) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 9.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1330 pf @ 20 V - 1.04W (TA), 62.5W (TC)
MUN2136T1 onsemi Mun2136t1 -
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mun2136 230 MW SC-59 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 100 kohms 100 kohms
FQPF5N50CT onsemi FQPF5N50CT -
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 38W (TC)
HUF76633P3 onsemi HUF76633P3 -
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUF76 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 39A (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 39a, 10v 3V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 16V 1820 pf @ 25 V - 145W (TC)
FD6M045N06 onsemi FD6M045N06 -
RFQ
 ECAD 2893 0.00000000 onde Power-Spm ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero EPM15 FD6M045 Mosfet (Óxido de metal) - EPM15 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 19 2 Canal N (Dual) 60V 60A 4.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250 µA 87nc @ 10V 3890pf @ 25V -
FDG6302P onsemi FDG6302P -
RFQ
 ECAD 7441 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG6302 Mosfet (Óxido de metal) 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 25V 140 Ma 10ohm @ 140mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.31NC @ 4.5V 12pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NTHD3101FT3G onsemi Nthd3101ft3g -
RFQ
 ECAD 6521 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHD31 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 3.2a (TJ) 1.8V, 4.5V 80mohm @ 3.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 7.4 NC @ 4.5 V ± 8V 680 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.1W (TA)
FDQ7236AS onsemi FDQ7236As -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDQ72 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w, 1.1w 14-soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 14a, 11a 8.7mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 24nc @ 15V 920pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
NTHC5513T1 onsemi NTHC5513T1 -
RFQ
 ECAD 9897 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHC5513 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Chipfet ™ descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTHC5513T1OS EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 2.9a, 2.2a 80mohm @ 2.9a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 4NC @ 4.5V 180pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NTD14N03RT4G onsemi NTD14N03RT4G 1.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD14 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 1.8 NC @ 5 V ± 20V 115 pf @ 20 V - 1.04W (TA), 20.8W (TC)
NVMFS5844NLT1G onsemi Nvmfs5844nlt1g -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS5844 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 11.2a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1460 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 107W (TC)
FDS7098N3 onsemi FDS7098N3 -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) FDS70 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO FLMP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 14a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 1587 pf @ 15 V - 3W (TA)
MJD350G onsemi Mjd350g -
RFQ
 ECAD 9369 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD35 15 W Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 300 V 500 mA 100 µA PNP - 30 @ 50mA, 10V -
FCB11N60TM onsemi Fcb11n60tm 3.4700
RFQ
 ECAD 9940 0.00000000 onde Superfet ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FCB11N60 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1490 pf @ 25 V - 125W (TC)
FCH072N60F onsemi FCH072N60F 9.3300
RFQ
 ECAD 1350 0.00000000 onde FRFET®, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH072 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 52a (TC) 10V 72mohm @ 26a, 10v 5V @ 250 µA 215 NC @ 10 V ± 20V 8660 pf @ 100 V - 481W (TC)
NVMFS5C682NLWFAFT3G onsemi NVMFS5C682NLWFAFT3G 0.6155
RFQ
 ECAD 8259 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 8.8a (TA), 25a (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 10a, 10v 2V @ 16 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 410 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 28W (TC)
RHRP3060-F102 onsemi RRP3060-F102 -
RFQ
 ECAD 2250 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-2 RRP3060 Estándar Un 220-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.1 V @ 30 A 45 ns 250 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 30A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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