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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL7054/TR | 68.3250 |  | 7560 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDLL70 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL7054/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5930/TR | 4.1250 | | 3656 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5930/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 230 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
 | CDLL5240C/TR | 6.9150 | | 5315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5240C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N5541/TR | 1.9950 | | 9218 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5541/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 22 V | |||||||||||||||||
| CDLL759D/TR | 12.5100 | | 1137 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL759D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||
| CDLL4715C/TR | 6.7950 | | 3978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4715C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 139 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.3 V | 36 V | |||||||||||||||||
| MSASC100H30HS/TR | - | | 8503 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H30HS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5230C/TR | 6.9150 | | 6115 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5230C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N755A/TR | 2.3400 | | 7011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N755A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 404 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||
| 2N3498U4/TR | 135.3150 | | 4480 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1 W | U4 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3498U4/TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 V | 500 mA | 50NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||
| MSASC75H45FX/TR | - | | 5963 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC75H45FX/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 650 MV @ 75 A | 7.5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 75a | - | |||||||||||||||
| 2N5793U/TR | 71.0700 | | 1560 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N5793 | 600MW | U | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5793U/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||
| CDLL5275D/TR | 8.5950 | | 6807 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5275D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 101 V | 140 V | 1300 ohmios | |||||||||||||||||
| CDLL5247C/TR | 6.9150 | | 4889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5247C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4579A/TR | 29.5200 | | 5859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4579A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N754A/TR | 2.3400 | | 8006 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N754A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 404 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||
| Jansl2n2221aubc/tr | 231.9816 | | 9224 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansl2n2221aubc/TR | 50 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
 | Jantxv2n3250aub/tr | - | | 2694 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 360 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV2N3250AUB/TR | 50 | 60 V | 200 MA | 20NA | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||
 | Jans1n5806urs/tr | 118.5600 | | 1115 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n5806urs/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 160 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | 1N4577/TR | 8.6100 | | 8498 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4577/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N5264/TR | 2.2950 | | 3396 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5264/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 44 V | 60 V | 170 ohmios | ||||||||||||||||
| MSASC25W80KS/TR | - | | 7328 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC25W80KS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5231D/TR | 8.5950 | | 4124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5231D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||
| MSASC75H60FX/TR | - | | 1978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC75H60FX/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5536A/TR | 1.9950 | | 1437 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5536A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13 V | 16 V | |||||||||||||||||
| CDLL5271C/TR | 6.9150 | | 8448 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5271C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 76 V | 100 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||
| CDLL5271D/TR | 9.1500 | | 6501 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5271D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 104 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 76 V | 100 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4614/TR | 3.6150 | | 7055 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4614/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 261 | 1.1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N967D/TR | 8.1750 | | 3619 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N967D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 116 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4954USE3/TR | 8.5950 | | 3568 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4954USE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios |
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