- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n6874utk2as/tr | 413.4000 |  | 5938 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6874UTK2AS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL8.55V/TR | 16.4250 | | 5453 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL8.55V/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4567AE3/TR | 4.2750 | | 2801 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4567AE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 222 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||
| MSASC150W45L/TR | 233.7450 | | 9075 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC150W45L/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 760 MV @ 150 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||
| 1N753C/TR | 4.5000 | | 2974 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N753C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 211 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MSASC150W100LX/TR | - | | 3013 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC150W100LX/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 925 MV @ 150 A | 5 Ma @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||
| 1N5283-1/TR | 18.6900 | | 2302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5283 | 500MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5283-1/TR | 100 | 100V | 242 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||
| Jansl2n2907aubc/tr | 306.0614 | | 8066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansl2N2907Aubc/TR | 50 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 1N4565AE3/TR | 3.5850 | | 2134 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4565AE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||
| 1N5993/TR | 3.5850 | | 8376 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5993/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 5.1 V | 88 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jansh2n2369aub/tr | 357.8820 | | 1823 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/317 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 400 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-jansh2n2369aub/tr | 50 | 20 V | 400NA | NPN | 450mv @ 10 Ma, 100 Ma | 40 @ 10mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||
| CDS5221D-1/TR | - | | 9688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5221D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5189/tr | 14.3400 | | 8016 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/424 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | B | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5189/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 v @ 9 a | 300 ns | 2 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||
 | Jans1n6319dus/tr | 412.3050 | | 9786 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6319dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||
| MSASC100W30HS/TR | - | | 3835 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100W30HS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Uz1616/tr | 69.1500 | | 9387 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ1616/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS5307UR-1/TR | - | | 4521 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5307UR-1/TR | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n6638/tr | 67.7102 | | 3124 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Polaridad Inversa Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6638/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.1 V @ 200 Ma | 4.5 ns | 500 na @ 125 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300mA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
 | 1N3156E3/TR | 31.9350 | | 7059 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N3156 | 500 MW | Do-7 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3156E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N5537/TR | 1.9950 | | 3314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5537/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14 V | 17 V | |||||||||||||||||||||
| Jansm2n222222aubc/tr | 279.2920 | | 5375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2N2222AUBC/TR | 50 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| CDS3021B-1/TR | - | | 9169 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS3021B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5534C/TR | 11.5500 | | 3919 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5534C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.6 V | 14 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
| CDLL4.10V/TR | 28.5000 | | 7275 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4.10V/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS5535B-1/TR | - | | 1985 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5535B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5537A/TR | 1.9950 | | 4015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5537A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14 V | 17 V | |||||||||||||||||||||
 | CDLL5528C/TR | 12.3900 | | 7067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5528C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.5 V | 8.2 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N992B-1/TR | 10.2900 | | 8487 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N992B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 152 V | 200 V | 2500 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jantxv2n2221aub/tr | 11.9833 | | 9782 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/255 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv2n2221aub/tr | 115 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| CDLL5534D/TR | 16.3950 | | 3802 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5534D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.6 V | 14 V | 100 ohmios |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)