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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL4692/TR | 3.0989 |  | 9857 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4692/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 V | ||||||||||||||
 | CDLL6323/TR | 13.1404 | | 7145 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6323/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||||||
 | Janhca1n5538b | 6.7564 | | 7257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5538B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||||||
 | Jan1n4119-1/tr | 3.7772 | | 5500 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4119-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.3 V | 28 V | 200 ohmios | ||||||||||||||
 | Jans1n7053-1/tr | 153.2700 | | 7886 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N7053-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5534b-1/tr | 8.2327 | | 3325 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5534B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.6 V | 14 V | 100 ohmios | |||||||||||||
| Jantxv1n4575aur-1/tr | 9.0600 | | 7790 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4575AUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||||
| Jans1n827-1/tr | 166.7400 | | 7882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/159 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N827-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
| Jan1N747D-1/TR | 5.8919 | | 6848 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N747D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||
 | Jantxv1n3824cur-1/tr | 44.1427 | | 1774 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n3824cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||
| 1N944B/TR | 24.6750 | | 9714 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N944B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||
| CDLL4897A/TR | 56.2050 | | 2802 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4897A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 V | 400 ohmios | ||||||||||||||
| Jan1N3032Cur-1/TR | 29.0339 | | 6791 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3032CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | |||||||||||||
| Jantxv1n4127c-1/tr | 20.6815 | | 7905 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4127C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 42.6 V | 56 V | 300 ohmios | |||||||||||||
| Jan1n5301ur-1/TR | 36.8400 | | 4492 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5301 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5301UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||||||||||||
| 1N4714UR-1/TR | 4.6816 | | 7716 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4714UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 25 V | 33 V | ||||||||||||||
| CDLL4469/TR | 10.3341 | | 1633 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1.5 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4469/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||
| 1N4738ur-1 | 3.0723 | | 9875 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4738ur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||
| 1N5991CE3/TR | 3.6575 | | 6832 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5991CE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 88 ohmios | |||||||||||||
| Jantxv1n3041dur-1/tr | 50.5932 | | 5926 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3041DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||||
 | 1N4957US/TR | 7.4613 | | 2940 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1n4957us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||||||
| 1N4749AG/TR | 2.7664 | | 9660 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4749AG/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | |||||||||||||
 | 1N5622US/TR | 6.3600 | | 9688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5622US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 1 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||
| 1N4120-1/TR | 2.3408 | | 9316 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4120-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||||
 | 1N976B/TR | 2.0083 | | 1551 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N976B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||||
 | Jantx1n5551/tr | 6.5700 | | 8247 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5551/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 9 a | 2 µs | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||||
 | Jantxv1n3042d-1/tr | 32.2392 | | 6614 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n3042d-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||||||
| 1N4770/TR | 61.1550 | | 8175 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4770/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
 | CD3017B | 3.6043 | | 6187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3017B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||||
| CDLL4743A/TR | 2.9526 | | 9185 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4743A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios |
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