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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: fuga inverse @ vr | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n6312/tr | 107.0906 |  | 6367 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6312/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 27 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Janhca1n966b | 8.5785 | | 7829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N966B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Janhca1n757a | 7.2618 | | 3994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N757A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5292-1/tr | 36.5700 | | 4820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5292 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5292-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 682 µA | 1.13V | ||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6940utk3/tr | 506.5350 | | 7845 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky | Thinkey ™ 3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6940UTK3/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 500 MV @ 150 A | 5 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5540bur-1/tr | 17.2900 | | 6791 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5540bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5539d-1/tr | 26.0414 | | 8829 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5539D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jan1N5304-1/TR | 31.6650 | | 1254 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5304 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5304-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.98mA | 1.75V | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4735AUR/TR | 3.1700 | | 9914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4735AUR/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jan1N4617C-1/TR | 8.6317 | | 3908 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4617C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.4 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| CDLL4913/TR | 31.7100 | | 6428 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4913/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| SPD25 | - | | 7284 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | Estándar | - | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-SPD25 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.4 V @ 39 A | 2 µA @ 660 V | 25 A | Fase única | 660 V | ||||||||||||||||||||||
| 1N751C | 3.8171 | | 6294 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N751C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5518cur-1/tr | 32.3988 | | 6967 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5518CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5518c-1/tr | 17.4496 | | 6809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5518C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3028c-1/tr | 22.7962 | | 1420 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3028C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N967BE3/TR | 3.1654 | | 8455 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N967BE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jans2n3635ub/tr | 112.6504 | | 4106 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 1.5 W | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans2n3635ub/tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 10mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
 | CD4150 | 1.2635 | | 4388 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4150 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | 2.5pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
| CD4743A | 1.8354 | | 6332 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4743A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5314-1/tr | 60.9300 | | 5903 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5314 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5314-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17MA | 2.9V | ||||||||||||||||||||||
| CD982B | 1.5029 | | 5021 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD982B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n3331rb | - | | 1303 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3331RB | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 38.8 V | 50 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| 1N754A-1/TR | 2.0748 | | 9951 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N754A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Janhca1n755a | 7.2618 | | 5093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N755A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4114cur-1/tr | 21.9450 | | 3039 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4114CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jan1N5313-1/TR | 29.0400 | | 7510 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5313 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5313-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73MA | 2.75V | ||||||||||||||||||||||
| CDLL4733A/TR | 2.7664 | | 1434 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4733A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4117d-1/tr | 15.1886 | | 2086 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4117D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jans2n4033ub/tr | 64.5004 | | 4563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/512 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 500 MW | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans2N4033ub/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mapa, 1a | 100 @ 100 maja, 5v | - |
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