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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5540C | 11.3550 |  | 8386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5540C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||
 | CDLL3026B/TR | 13.7522 | | 9753 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL3026B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||
 | CD5234 | 1.6350 | | 7606 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5234 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6636us | - | | 5299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 20 µA @ 1 V | 4.7 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||
 | UZ8113 | 22.4400 | | 4876 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 1 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ8113 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 700 ohmios | |||||||||||||||||||
 | CDLL937B/TR | 8.7000 | | 3552 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL937B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N5942 | 3.4050 | | 9920 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.25 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5942 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||
 | 1N4901A | 51.6450 | | 5057 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N4901 | 400 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n3000b | - | | 3470 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 47.1 V | 62 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||
| CDLL5822 | 6.5700 | | 1505 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5822 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MBR2050FCTE3/TU | 1.1700 | | 3934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR2050 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||
| Enero1n6628us/tr | 19.3500 | | 3088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Polaridad Inversa Estándar | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6628us/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 660 V | 1.35 v @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||
| Jantxv1n965d-1/tr | 9.6957 | | 7434 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N965D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||
 | UES1103SM-1/TR | 22.0950 | | 7050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Ues1103SM-1/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 980 MV @ 2.5 A | 25 ns | 2 µA @ 150 V | - | 2.5a | - | ||||||||||||||||
| 1N4454UR-1/TR | 2.5137 | | 1298 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4454UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||
| CDLL936A | 6.9900 | | 1058 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL936 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||
| Janhca1n5545c | - | | 6822 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5545C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27 V | 30 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jan1n6355cus/tr | - | | 9966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Enero1n6355cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 152 V | 200 V | 1800 ohmios | |||||||||||||||||||
| SMBG5358A/TR13 | 2.2200 | | 5326 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5358 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.8 V | 22 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||
| Jans1n4958dus/tr | 528.1050 | | 8881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jans1n4958dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n6322cus/tr | 39.9450 | | 6471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Jantx1n6322cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jansm2n2907Aubc | 305.9206 | | 2103 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n2907Aubc | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
| Jan1N4617D-1/TR | 10.7730 | | 9672 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4617D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.4 V | 1400 ohmios | |||||||||||||||||
| Janhca1n4573a | 59.5950 | | 5394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4573A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantx1n981bur-1 | - | | 1407 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N981 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 52 V | 68 V | 230 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4111-1 | 2.4450 | | 8429 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4111 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13 V | 17 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1N6873UTK2CS | 364.5450 | | 8686 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/469 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Estándar | Thinkey ™ 2 | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6873UTK2CS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 V @ 400 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||||||||||||
 | 1N4749CP/TR8 | 2.2800 | | 2879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4749 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N6343US | 14.6400 | | 1788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6343 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||
| Jankca1n5518b | - | | 4871 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5518b | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios |
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