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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n5524bur-1 | 20.6400 |  | 1642 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5524 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 3.5 V | 5.6 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantx1n4460dus | 43.2000 | | 1811 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4460 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jankca1n4104 | - | | 3879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1N4104 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7.6 V | 10 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jans1n4118cur-1/tr | 91.5802 | | 2609 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4118cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1 PMT595555AE3/TR7 | - | | 1765 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5955 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 136.8 V | 180 V | 800 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jan1N4126C-1/TR | 9.4430 | | 1783 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N4126C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 1N3322B | - | | 1401 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3322 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 18.2 V | 25 V | 2.7 ohmios | ||||||||||||||||||
 | 1N4739ur | 3.4650 | | 9584 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4739ur | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||
| SMBG5346C/TR13 | 2.8650 | | 8850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5346 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jans1n4112-1 | 33.7800 | | 6551 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.7 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1n6642ubcc | 14.2800 | | 1141 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6642 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n6845u3/tr | 424.2150 | | 3948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/682 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Schottky, Polaridad Inversa | U3 (SMD-0.5) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6845U3/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 720 MV @ 20 A | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 30A | 800pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||
| CDLL5231D | 8.4150 | | 5254 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5231D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||
| CDLL4924A/TR | 92.1000 | | 6713 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4924A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4472cus | 45.1350 | | 9945 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4472cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 16 V | 20 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4582aur-1/TR | 9.8250 | | 1309 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n4582aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | SMBJ4752E3/TR13 | 0.4350 | | 3224 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4752 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantx1n4625cur-1 | 22.4850 | | 7386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4625 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 3 V | 5.1 V | 1500 ohmios | |||||||||||||||||||
| CD4681C | 8.2950 | | 9677 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD4681C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.4 V | |||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4968us | 9.5400 | | 9232 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4968 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jans1n6347 | 140.1300 | | 1810 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 69 V | 91 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N2839A | 94.8900 | | 2796 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2839 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 79.8 V | 105 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantx1n3600 | 4.5750 | | 5657 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/231 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||
| Jantx1n4122d-1 | 16.9800 | | 1385 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4122 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||
| Janhca1n968c | - | | 7325 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N968C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jan1n4148ubccc/tr | 26.3700 | | 2145 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/116 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N4148 | Estándar | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n4148ubccc/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 75 V | 1A | 800 MV @ 100 Ma | 5 ns | 25 na @ 20 V | -65 ° C ~ 200 ° C | |||||||||||||||||
| 1N5939D | 8.2950 | | 5888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5939 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jans2n4033ua/tr | - | | 2723 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/512 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 500 MW | Ua | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans2N4033UA/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mapa, 1a | 100 @ 100 maja, 5v | - | |||||||||||||||||
| 1N5530DUR-1/TR | 16.3950 | | 1113 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5530dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||
| 1N3006RB | 36.9900 | | 1750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3006 | 10 W | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3006RB | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 76 V | 105 V | 45 ohmios |
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