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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
1N5370E3/TR12	-	RFQ	7564	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5370		5 W		T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				1.2 v @ 1 a		500 na @ 40.3 V										56 V	35 ohmios
1N825A-1E3/TR	4.8900	RFQ	7847	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW		DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N825A-1E3/TR	EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V										5.89 V	10 ohmios
Jantx1n4617c-1	12.6600	RFQ	3290	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4617		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						1 µA @ 1 V										2.4 V	1400 ohmios
Jantxv1n6354cus/tr	-	RFQ	3361	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW		B, SQ-Melf	-				150-jantxv1n6354cus/tr	EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		50 na @ 137 V										180 V	1500 ohmios
CDLL821A	4.2300	RFQ	5473	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					CDLL821					-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jantx1n6309us	20.9250	RFQ	8874	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6309		500 MW		B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		100 µA @ 1 V										2.4 V	30 ohmios
Jans1n4627ur-1	-	RFQ	6238	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V										6.2 V	1200 ohmios
Jan1N5534Bur-1/TR	12.9542	RFQ	5905	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW		DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5534BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 12.6 V										14 V	100 ohmios
Jantxv1n6314us	-	RFQ	1157	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW		B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		2 µA @ 1 V										3.9 V	23 ohmios
Jan1n3826dur-1	44.4150	RFQ	7326	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3826		1 W		DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V										5.1 V	7 ohmios
Jan1n6319c	24.3300	RFQ	2896	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6319		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		5 µA @ 3.5 V										6.2 V	3 ohmios
1N4735CPE3/TR8	1.1550	RFQ	8437	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4735		1 W		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500				1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 3 V										6.2 V	2 ohmios
1 PMT4106/TR7	0.9600	RFQ	8787	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4106		1 W		DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.12 V										12 V	200 ohmios
Jantx1n3043c-1	25.5600	RFQ	6595	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3043		1 W		Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V										91 V	250 ohmios
CD5538B	2.0349	RFQ	2956	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW		Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5538B	EAR99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V										18 V	100 ohmios
SMBJ4763AE3/TR13	0.4350	RFQ	5933	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4763		2 W		SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 69.2 V										91 V	250 ohmios
1N5530B/TR	3.6150	RFQ	9937	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW		DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5530B/TR	EAR99	8541.10.0050	261				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.1 V										10 V	60 ohmios
Jan1n3174r	-	RFQ	6781	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/211	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar			DO-205AB (DO-9)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1.55 V @ 940 A		10 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
Jantxv1n753dur-1	23.9550	RFQ	8925	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N753		500 MW		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3.5 V										6.2 V	7 ohmios
Jantx1n6674	-	RFQ	2006	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/617	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)		Estándar			Un 254	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	500 V	1.55 V @ 20 A	35 ns	50 µA @ 400 V	-	15A	150pf @ 10V, 1 MHz
1n1127ar	38.3850	RFQ	4585	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1127	Polaridad Inversa Estándar			DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	500 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
Jantx2n2221aub/tr	11.9833	RFQ	8328	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/255	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo			500 MW		UB	-			Alcanzar sin afectado	150-JantX2N2221AUB/TR			100											50 V	800 Ma		50NA					NPN	1V @ 50 Ma, 500 Ma	40 @ 150mA, 10V	-
CDLL4716C/TR	6.7950	RFQ	8094	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW		DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4716C/TR	EAR99	8541.10.0050	139				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 29.8 V										39 V
2C5000	38.7450	RFQ	7967	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo										-			Alcanzar sin afectado	150-2C5000			1
1N1351A	39.3150	RFQ	3069	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N1351					-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1
Jan1n4995	-	RFQ	2601	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W		E, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µA @ 274 V										360 V	1400 ohmios
Jantx1n964d-1	7.0800	RFQ	4683	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N964		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V										13 V	13 ohmios
1N4568-1	6.1200	RFQ	1096	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	0 ° C ~ 75 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4568		500 MW		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V										6.4 V	200 ohmios
R3250	49.0050	RFQ	8395	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo										-			Alcanzar sin afectado	150-R3250			1
Aptgt300du120g	303.2725	RFQ	8798	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Sp6	Aptgt300		1380 W	Estándar	Sp6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1	Fuente Común Dual									Parada de Campo de Trinchera	1200 V	420 A	2.1V @ 15V, 300A	500 µA	No			21 NF @ 25 V