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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
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CDLL748 | 2.8650 | ![]() | 2215 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL748 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT15GT60BRDQ1G | - | ![]() | 4503 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Thunderbolt IGBT® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt15gt60 | Estándar | 184 W | To-247 [b] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V, 15a, 10ohm, 15V | Escrutinio | 600 V | 42 A | 45 A | 2.5V @ 15V, 15a | 150 µJ (Encendido), 215 µJ (apaguado) | 75 NC | 6ns/105ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4746A | 3.6900 | ![]() | 7458 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4746 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N4746ams | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4991c | 232.2900 | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 240 V | 650 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6326dus/tr | 63.4277 | ![]() | 7524 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6326dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4736UR-1 | 3.6450 | ![]() | 1722 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4736UR-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Smaj4734ae3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 4936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj473 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5543B | 2.0349 | ![]() | 1971 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5543B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5933B | 3.0300 | ![]() | 6210 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5933 | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4567/TR | 9.6000 | ![]() | 7663 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4567/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jans1n4989c | 415.7700 | ![]() | 7256 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4989c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n2979rb | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4492 | 12.3300 | ![]() | 8759 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4492 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 104 V | 130 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5259A/TR | 2.7132 | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5259A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4620cur-1 | 34.0665 | ![]() | 7839 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4620 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4622ur-1 | 9.0450 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4622 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6636 | 14.7300 | ![]() | 3863 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6636 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n633338cus/tr | 63.8550 | ![]() | 1190 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Enero1n6338cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 30 V | 39 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4745ur/TR | 3.6150 | ![]() | 9226 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | 150-1N4745ur/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4477d | 22.5300 | ![]() | 6907 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4477 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN0604N3-G | 1.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0604 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 700 mA (TJ) | 5V, 10V | 750mohm @ 1.5a, 10V | 1.6V @ 1 MMA | ± 20V | 190 pf @ 20 V | - | 740MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n3016b-1 | - | ![]() | 8003 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Arf469ag | 70.8500 | ![]() | 6963 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | 500 V | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | ARF469 | 45MHz | Mosfet | Un 264 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 30A | 250 µA | 350W | 16dB | - | 150 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5259A | 1.6350 | ![]() | 2320 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5259A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5952C/TR13 | 2.7600 | ![]() | 4557 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5952 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 98.8 V | 130 V | 450 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4483c | 18.9300 | ![]() | 1581 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4483 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 44.8 V | 56 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6322us/tr | 35.3647 | ![]() | 3780 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N6322US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n976dur-1 | - | ![]() | 3301 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5543D | - | ![]() | 1876 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5543D | EAR99 | 8541.10.0050 | 164 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
CDLL3024A | 15.3000 | ![]() | 8820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3024 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios |
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