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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n4483c | 18.9300 |  | 1581 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4483 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 44.8 V | 56 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6322us/tr | 35.3647 | | 3780 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N6322US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n976dur-1 | - | | 3301 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CD5543D | - | | 1876 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5543D | EAR99 | 8541.10.0050 | 164 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL3024A | 15.3000 | | 8820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3024 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5913B/TR | 2.8462 | | 5158 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.25 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5913B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jans2n3634 | - | | 5701 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 140 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS5542B-1 | - | | 8268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5542B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS3018B-1 | - | | 6909 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS3018B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Smaj4761e3/tr13 | 0.6450 | | 8756 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4761 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansr2n2906a | 99.0906 | | 2123 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2906 | 500 MW | Un 18 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANSR2N2906A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n965dur-1 | 11.9850 | | 2322 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N965 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5946D | 11.7300 | | 4622 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5946 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL3028A | 15.3000 | | 6496 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3028 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan2N333AT2 | - | | 4566 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | 45 V | 10 Ma | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4954d | 245.7750 | | 7119 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n649-1 | - | | 7021 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/240 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N649 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4464D | 22.1400 | | 8296 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4464D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 5.46 V | 9.1 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N2804B | 94.8900 | | 3616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2804 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 4.5 V | 6.8 V | 0.2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5522bur-1/tr | 17.2900 | | 9528 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5522bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.7 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt95gr65b2 | 8.9400 | | 6811 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt95gr65 | Estándar | 892 W | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 433v, 95a, 4.3ohm, 15V | Escrutinio | 650 V | 208 A | 400 A | 2.4V @ 15V, 95a | 3.12MJ (Encendido), 2.55MJ (apaguado) | 420 NC | 29ns/226ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HSM190JE3/TR13 | 0.8100 | | 8710 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214BA | HSM190 | Schottky | DO-214BA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 840 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5359C/TR12 | 3.3900 | | 9541 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5359 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 17.3 V | 24 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GC15002-00 | - | | 5330 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | GC15000 | Banda | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC15002-00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.3pf @ 20V, 1MHz | Soltero | 22 V | 8 | C0/C15 | 1300 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5519c-1 | 19.5300 | | 4914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5519 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4592R | 102.2400 | | 2300 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4592R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120DUM08T3AG | 395.6500 | | 1707 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM120 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1409W (TC) | SP3F | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM120DUM08T3AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 1200V (1.2kv) | 337A (TC) | 7.8mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 4MA | 928nc @ 20V | 12100pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5285ur-1 | 40.2450 | | 5026 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5285 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297 µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4974/tr | 7.8450 | | 3726 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4974/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 35.8 V | 47 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4100dur-1 | 148.5300 | | 7908 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 200 ohmios |
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