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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
1N4578A	8.9400	RFQ	7219	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N4578A	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V									6.4 V	50 ohmios
CDS5229D-1	-	RFQ	3212	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-CDS5229D-1	EAR99	8541.10.0050	50
2C3741A	24.1650	RFQ	4360	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-2C3741A			1
Jantxv1n4492c	33.0000	RFQ	6728	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1.5 W	Do-41	-	Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4492C	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 104 V									130 V	500 ohmios
1N6623E3	10.7400	RFQ	4136	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Axial		Estándar		Axial	-	Alcanzar sin afectado	150-1N6623E3	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.8 V @ 1.5 A	50 ns	500 na @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
Jankca1n4133d	-	RFQ	6341	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4133D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 66.12 V									87 V	1000 ohmios
Janhca1n747d	-	RFQ	6979	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N747D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V									3.6 V	24 ohmios
CD5265	1.6350	RFQ	9088	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD5265	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 47 V									62 V	185 ohmios
Jankca1n4128d	-	RFQ	4053	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4128D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 45.6 V									60 V	400 ohmios
Jan1n6347cus	63.7050	RFQ	8570	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6347cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 69 V									91 V	270 ohmios
Jan1n633333c	39.6300	RFQ	7909	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6333c	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 18 V									24 V	24 ohmios
Jantxv1n4970d	23.4600	RFQ	4057	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4970d	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 25.1 V									33 V	10 ohmios
SBT3035	62.1000	RFQ	7111	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	SBT30	Schottky		TO-204AA (TO-3)	-	Alcanzar sin afectado	150-SBT3035	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	35 V	30A	700 MV @ 30 A		1.5 Ma @ 35 V	-65 ° C ~ 175 ° C
CDLL5258C	6.7200	RFQ	6136	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5258C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 27 V									36 V	70 ohmios
R306030F	49.0050	RFQ	4098	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-R306030F			1
Jankca1n4101d	-	RFQ	8093	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4101d	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.24 V									8.2 V	200 ohmios
1N2996RB	36.9900	RFQ	2547	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N2996		10 W	DO-4 (DO-203AA)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N2996RB	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 36 V									50 V	15 ohmios
2C3637-MSCL	7.3650	RFQ	3596	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-2C3637-MSCL			1
CD746C	-	RFQ	2490	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD746C	EAR99	8541.10.0050	278					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 1 V									3.3 V	28 ohmios
Jankcch2n3498	-	RFQ	7464	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/366	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 W	TO-39 (TO-205Ad)	-	Alcanzar sin afectado	150-jankcch2n3498			100											100 V	500 mA			10 µA (ICBO)			NPN	600mv @ 30 mA, 300 mA	40 @ 150mA, 10V	-
Jantxv1n4982cus	40.8900	RFQ	9888	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4982cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 76 V									100 V	110 ohmios
Jantxv1n6340dus	68.5500	RFQ	8922	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6340dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 36 V									47 V	75 ohmios
680-6E3	246.7800	RFQ	2211	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	4 Cuadrados, NA		Estándar		N / A	-	Alcanzar sin afectado	150-680-6E3	EAR99	8541.10.0080	1					1.2 v @ 2 a		2 µA @ 600 V		10 A				Fase única	600 V
CD3051B	4.0650	RFQ	5488	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-CD3051B	EAR99	8541.10.0050	1
UTR62	9.2550	RFQ	2652	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UTR62	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 1 a	400 ns	3 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2a	40pf @ 0V, 1 MHz
1N4588RD	102.2400	RFQ	7975	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1n4588rd	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Jan1n6341cus	63.7050	RFQ	6833	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6341cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 39 V									51 V	85 ohmios
Jans1n4495cus	283.8300	RFQ	5593	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-	Alcanzar sin afectado	150-jans1n4495cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		250 na @ 144 V									180 V	1300 ohmios
UFT5005A	94.8750	RFQ	7920	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		TO-204AA (TO-3)	-	Alcanzar sin afectado	150-Uft5005a	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	100 V	50A	1 V @ 25 A	35 ns	15 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C
CDLL4957	11.1450	RFQ	1359	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL4957	EAR99	8541.10.0050	1