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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
2C5038 Microchip Technology 2C5038 32.5717
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-2C5038 1
APT2X101D30J Microchip Technology Apt2x101d30j 28.9900
RFQ
 ECAD 3519 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt2x101 Estándar ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2 Independientes 300 V 100A 1.4 V @ 100 A 47 ns 500 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
1N5241/TR Microchip Technology 1N5241/TR 4.1100
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-1N5241/TR EAR99 8541.10.0050 231 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 8 V 11 V 22 ohmios
JAN2N2919U/TR Microchip Technology Jan2n2919u/tr 43.2250
RFQ
 ECAD 9922 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/355 Tape & Reel (TR) Activo 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N2919 350MW 3-SMD - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero2N2919U/TR EAR99 8541.21.0095 1 60V 30mera 10 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 300mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1 MMA, 5V -
UFR3015R Microchip Technology UFR3015R 56.6250
RFQ
 ECAD 4279 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar DO-203AA (DO-4) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 30 A 35 ns 15 µA @ 200 V 175 ° C (Máximo) 30A 140pf @ 10V, 1 MHz
JANS1N4619CUR-1/TR Microchip Technology Jans1n4619cur-1/tr 154.6904
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4619cur-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 400 na @ 1 V 3 V 1.6 ohmios
1N5349BE3/TR13 Microchip Technology 1N5349Be3/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 7908 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5349 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.250 1.2 v @ 1 a 2 µA @ 8.6 V 12 V 2.5 ohmios
JANS1N4627C-1/TR Microchip Technology Jans1n4627c-1/tr 56.9000
RFQ
 ECAD 1475 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4627c-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 5 V 6.2 V 1.2 ohmios
JANS1N5308-1/TR Microchip Technology Jans1n5308-1/tr 100.0200
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n5308-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
JANTX1N5418 Microchip Technology Jantx1n5418 6.3200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/411 Una granela Activo A Través del Aguetero B, axial 1N5418 Estándar B, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
CD749D Microchip Technology CD749D -
RFQ
 ECAD 7133 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir - Alcanzar sin afectado 150-CD749D EAR99 8541.10.0050 223 1.5 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
1N4898A Microchip Technology 1N4898A 101.5500
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N4898 400 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 12.8 V 400 ohmios
1N6640US Microchip Technology 1N6640US 9.3600
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, D 1N6640 Estándar D-5D descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1 V @ 200 Ma 4 ns 100 na @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA -
JANTXV1N4619C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4619c-1/tr 16.5186
RFQ
 ECAD 7684 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4619C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 400 na @ 1 V 3 V 1600 ohmios
SBR6025 Microchip Technology SBR6025 148.2150
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Schottky DO-5 (DO-203AB) - Alcanzar sin afectado 150-SBR6025 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 25 V 600 MV @ 60 A 2 Ma @ 25 V -55 ° C ~ 150 ° C 60A -
JANS1N4135DUR-1 Microchip Technology Jans1n4135dur-1 147.2700
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 76 V 100 V 1500 ohmios
1PMT5950C/TR13 Microchip Technology 1 PMT5950C/TR13 2.7600
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt5950 3 W DO-216AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 12,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 83.6 V 110 V 300 ohmios
1N4754AE3 Microchip Technology 1N4754AE3 -
RFQ
 ECAD 5394 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo - - - - 1N4754 - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1N4754AE3MS EAR99 8541.10.0050 1
1N6701US/TR Microchip Technology 1N6701US/TR 30.1200
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, C Schottky D-5C - 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 470 MV @ 5 A 200 µA @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 5A -
JANS1N5822US Microchip Technology Jans1n5822us 213.8800
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/620 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, B Schottky B, SQ-Melf - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A -65 ° C ~ 150 ° C 3A -
JANTXV2N5339P Microchip Technology Jantxv2n5339p 19.2717
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/560 Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-jantxv2n5339p 1 100 V 5 A 100 µA NPN 1.2V @ 500 Ma, 5a 60 @ 2a, 2v -
JANKCA1N5539C Microchip Technology Jankca1n5539c -
RFQ
 ECAD 4777 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-jankca1n5539c EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 17.1 V 19 V 100 ohmios
JANTX1N989BUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n989bur-1/tr -
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 400 MW DO-213AA descascar 150-JantX1N989Bur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 114 V 150 V 1500 ohmios
JANTXV1N4617C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4617c-1/tr 13.2335
RFQ
 ECAD 8344 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4617C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 1 V 2.4 V 1400 ohmios
JANHCA1N4614C Microchip Technology Janhca1n4614c -
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N4614C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 7.5 µA @ 1 V 1.8 V 1200 ohmios
JANS1N4468 Microchip Technology Jans1n4468 93.1950
RFQ
 ECAD 5632 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 10.4 V 13 V 8 ohmios
SMBJ5376BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5376BE3/TR13 0.8250
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5376 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 63 V 87 V 75 ohmios
CDLL5222B/TR Microchip Technology CDLL5222B/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 10 MW DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5222B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 2.5 V 30 ohmios
CDLL5518A/TR Microchip Technology CDLL5518A/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 7223 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 500 MW DO-213AB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5518A/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 900 MV 3.3 V 26 ohmios
CD4567 Microchip Technology CD4567 7.3650
RFQ
 ECAD 4913 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 0 ° C ~ 75 ° C Montaje en superficie Morir Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD4567 EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 200 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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