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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n3039dur-1/tr | 41.5359 |  | 4597 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3039DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5936BE3/TR7 | 0.7350 | | 9130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5936 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | 1N5998ur-1 | 3.5850 | | 4742 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N5998 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N731 | 1.9200 | | 5265 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N731 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 51 V | 115 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | CDLL6325 | 14.6400 | | 4788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL6325 | 500 MW | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8.5 V | 11 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | S2580 | 33.4500 | | 2358 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S25 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | S258 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 30 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 25A | - | |||||||||||||||||||||
 | Apt19m120j | 47.3100 | | 9859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 8 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt19m120 | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 1200 V | 19a (TC) | 10V | 530mohm @ 14a, 10v | 5V @ 2.5MA | 300 NC @ 10 V | ± 30V | 9670 pf @ 25 V | - | 545W (TC) | |||||||||||||||
| 1N4480USE3/TR | 11.5000 | | 8892 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N980B | 2.0700 | | 1055 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N980 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 185 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | Jan1n5968cus/tr | - | | 6415 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | E-Mada | descascar | 150-ENERO1N5968 CUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 Ma @ 4.28 V | 5.6 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| 60HFU-300 | 116.5650 | | 1623 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-203AB (DO-5) | - | Alcanzar sin afectado | 150-60HFU-300 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| UPS115U/TR7 | 1.2900 | | 3881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-216AA | UPS115 | Schottky | Powermite | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 15 V | 220 MV @ 1 A | 10 Ma @ 15 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||
| 1N2065 | 158.8200 | | 7597 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2065 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 700 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4616dur-1/tr | 20.6815 | | 2247 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4616DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jan1N972Cur-1/TR | 10.2410 | | 8526 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N972CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4623c-1 | 10.9050 | | 6942 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4623 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | Jans1n6488cus/tr | - | | 4758 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6488cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| R716 | 55.6500 | | 6066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | R716 | Estándar | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.4 V @ 15 A | 200 ns | 1 Ma @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4620cur-1/tr | 27.2251 | | 3429 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4620CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1.65 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| S21100 | 33.4500 | | 7273 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S21 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | S21100 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 22A | - | |||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4460c | 30.7500 | | 7940 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4460 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||||
| MSCSM170HM12CAG | 996.2500 | | 15 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCSM170 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 843W (TC) | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-MSCSM170HM12CAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canales N (Puente Thero) | 1700V (1.7kv) | 179a (TC) | 15mohm @ 90a, 20V | 3.2V @ 7.5MA | 534nc @ 20V | 9900pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||
| 1N5340C/TR12 | 3.3900 | | 2347 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5340 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1 ohmios | |||||||||||||||||||||
| 1N4116 | 2.4450 | | 6805 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N4116 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n979dur-1 | 14.2500 | | 9845 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N979 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | CDLL5256B/TR | 2.7132 | | 1173 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5256B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | 1N6634 | 15.5550 | | 6929 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N6634 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 175 µA @ 1 V | 3.9 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||
| 1N5364C/TR8 | 3.3900 | | 9877 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5364 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 23.8 V | 33 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
| Jantx1n4118d-1/tr | 15.1886 | | 7337 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4118D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| MS8253-150A/TR | - | | 7575 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MS8253 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MS8253-150A/TR | 1 |
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