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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - En Estado (VTM) (Max) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Real - Off State (Max) | Tipo scr | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CD5330B | 5.6700 |  | 7429 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5330B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5373A/TR8 | 2.6250 | | 6375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5373 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 49 V | 68 V | 44 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS5297-1/TR | - | | 4733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS52 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5297-1/TR | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL7050 | 68.1450 | | 2783 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL70 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL7050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1N5298-1/TR | 31.6650 | | 3259 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5298 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5298-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.21mA | 1.4V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5295/TR | 25.2900 | | 3393 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5295/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5289/TR | 21.8400 | | 3183 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5289 | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5289/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 473 µA | 1.05V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL6012B | 2.7150 | | 7379 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6012B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 88 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5300 | 18.6000 | | 4307 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5300 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5300 | 1 | 100V | 1.43MA | 1.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL7049/TR | 68.3250 | | 3760 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDLL70 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL7049/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n5287ur-1/TR | 36.6000 | | 6882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5287 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5287UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363 µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n5291 | - | | 5972 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5291 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 616 µA | 1.1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GA301 | 29.2999 | | 9416 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | Un 18 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 5 Ma | 100 V | 750 MV | - | 200 µA | 1.5 V | 100 A | 10 Ma | Recuperación | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSR2N3439 | - | | 4579 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/368 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSR2N3439 | 100 | 350 V | 1 A | 2 µA | NPN | 500mv @ 4mA, 50 mA | 40 @ 20MA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3970 | 62.1150 | | 7491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3970 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt30m61sllg/tr | 13.9118 | | 2152 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 7® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Apt30m61 | Mosfet (Óxido de metal) | D3pak | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-Act30m61sllg/TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 300 V | 54a (TC) | 10V | 61mohm @ 27a, 10v | 5V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 3720 pf @ 25 V | - | 403W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS5303-1/TR | - | | 3896 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | CDS53 | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDS5303-1/TR | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n5311 | - | | 5265 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5311 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 3.96mA | 2.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n5313 | - | | 1076 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5313 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73MA | 2.75V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4526 | 62.1150 | | 2734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N4526 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5288/TR | 25.2900 | | 6937 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5288/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 429 µA | 1.05V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n4616 | 6.0914 | | 7174 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4616 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 4 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Arf466fl | 148.7910 | | 6881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 1000 V | - | ARF466 | 40.68MHz | Mosfet | T3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 13A | 150W | 16dB | - | 150 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ4755CE3/TR13 | 0.6450 | | 9360 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4755 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD5301 | 19.4400 | | 3036 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | CD530 | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5301 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5295-1/tr | 34.1550 | | 6696 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5295 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5295-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902 µA | 1.25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5314-1/tr | 32.2200 | | 1653 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5314 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5314-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17MA | 2.9V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5305/TR | 25.2900 | | 1012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5305/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.2MA | 1.85V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5287/TR | 18.7950 | | 5800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5287 | 500MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5287/TR | 100 | 100V | 363 µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5289/TR | 25.2900 | | 4104 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL52 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5289/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 473 µA | 1.05V |
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