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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1N3825A-1/TR | 6.1446 |  | 7400 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3825A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5935C/TR13 | 2.7600 | | 8291 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5935 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6031B/TR | 2.6334 | | 1530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6031B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 152 V | 200 V | 2000 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5623 | 7.2150 | | 3950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5623 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 3 a | 500 ns | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 12V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n757cur-1 | - | | 5539 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N1197A | 75.5700 | | 3413 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N1197 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4110ur-1 | 9.7350 | | 7667 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4110 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.15 V | 16 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5295/TR | 18.7950 | | 7687 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5295 | 475MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5295/TR | 100 | 100V | 902 µA | 1.25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N5524C/TR | 11.5500 | | 2501 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5524C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 3.5 V | 5.6 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N5519B-1/TR | 5.0407 | | 6426 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5519B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 0912GN-15E | - | | 1408 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | mi | Una granela | Activo | 150 V | Montaje en superficie | 55-QQ | 960MHz ~ 1.215GHz | - | 55-QQ | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-0912GN-15E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 10 Ma | 19W | 18.1db | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N3890R | 50.8800 | | 6445 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Alcanzar sin afectado | 1N3890RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 150 ns | 25 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | 115pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3024dur-1/tr | 41.5359 | | 1205 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n3024dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1N4973DUS | 26.4600 | | 8975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4973 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 32.7 V | 43 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jankca1n5546d | - | | 4506 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5546d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 33 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5941A/TR13 | 2.2200 | | 3192 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5941 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n5419us | 8.5050 | | 9512 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N5419 | Estándar | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.5 v @ 9 a | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N5526Cur-1/TR | 32.9574 | | 4409 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5526CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n759aur-1/tr | 3.9102 | | 6778 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n759aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCMC170AM08CT6LIAG | - | | 8636 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | MSCMC170 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 1780W (TC) | Sp6c li | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-MSCMC170AM08CT6LIAG | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N Canal (Pierna de Fase) | 1700V (1.7kv) | 280a (TC) | 11.7mohm @ 300a, 20V | 4V @ 108MA | 1128nc @ 20V | 22000pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 1N6775 | 229.3950 | | 9928 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | Estándar | Un 257 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 800 MV | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | 300pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3824a-1 | 8.6100 | | 5110 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 2266-Jantx1n3824a-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | CD4114 | 1.3699 | | 8876 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4114 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4114-1/tr | 31.6700 | | 6649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4114-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jans1n4989d | 519.7200 | | 5416 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4989d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Enero1n3016b-1 | 9.2700 | | 9168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3016 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1N943 | 18.3150 | | 7022 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N943 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4622ur | 3.3000 | | 8165 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4622 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| UPS140/TR7 | - | | 5073 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-216AA | UPS140 | Schottky | Powermite | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 70pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4708/TR | 3.6575 | | 2164 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4708/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.7 V | 22 V |
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