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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSR2N3501 | - |  | 8130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSR2N3501 | 100 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
 | CDLL965BE3/TR | 3.2100 | | 8057 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL965BE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 295 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Aptcv60hm45bc20t3g | 137.9411 | | 3879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp3 | APTCV60 | 250 W | Estándar | Sp3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Boost Chopper, Puente completo | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 50 A | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | Si | 3.15 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||
 | 1N4131/TR | 2.3408 | | 2217 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4131/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 na @ 57 V | 75 V | 700 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | Jans1n4992dus/tr | 346.6800 | | 2837 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jans1n4992dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 206 V | 270 V | 800 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4120-1/tr | 5.2136 | | 4351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4120-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| R4210 | 102.2400 | | 8103 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-R4210 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4982dus | 51.1200 | | 8825 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4982dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Jans1n6487us | - | | 2750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 35 µA @ 1 V | 3.9 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n979c-1/tr | 6.8628 | | 1264 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n979c-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1n1124a | - | | 3819 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 2.2 v @ 10 a | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | - | |||||||||||||||||||||||||
 | CDLL4738A/TR | 3.2319 | | 7678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4738A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4960dus | 33.0450 | | 5176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4960dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5526c-1/tr | 17.4496 | | 3106 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5526C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3034cur-1 | 37.3500 | | 3732 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3034 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3347b | - | | 1359 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 121.6 V | 160 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6485c | - | | 9084 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3904ub | 59.6550 | | 4175 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3904ub | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6272 | 849.4200 | | 4257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Montaje | Un stud de 211 MB, TO-63-4 | 262 W | TO-63 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N6272 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 30 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| CDLL5919E3/TR | 4.3050 | | 10000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5919E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 220 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| 1N6912U | 259.3500 | | 4724 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6912U | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N2495 | 44.1600 | | 2904 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2495 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 6A | - | |||||||||||||||||||||||
| S30640 | 39.0750 | | 7971 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | S30640 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 200 a | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 85a | - | ||||||||||||||||||||||
| CDLL4706/TR | 3.0989 | | 4000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4706/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14.4 V | 19 V | ||||||||||||||||||||||||
| 2N5085 | 287.8650 | | 6161 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | TO10AA, TO-59-4, Stud | 20 W | TO-59 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5085 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | Jankcbr2n2907a | - | | 6257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2907 | 500 MW | Un 18 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCBR2N2907A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| 1N4135-1 | 2.4450 | | 1932 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4135 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 V | 100 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jans1n4114cur-1/tr | 91.5802 | | 8632 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N4114CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jan1n5417us | 9.3600 | | 4806 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N5417 | Estándar | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||||||
 | UZ8213 | 22.4400 | | 4397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 1 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ8213 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 93.6 V | 130 V | 700 ohmios |
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