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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
UPS140/TR7 Microchip Technology UPS140/TR7 -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-216AA UPS140 Schottky Powermite descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 450 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 70pf @ 5V, 1MHz
1N4708/TR Microchip Technology 1N4708/TR 3.6575
RFQ
 ECAD 2164 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4708/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 16.7 V 22 V
JANTXV1N5287UR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5287ur-1/tr 40.4100
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5287 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n5287ur-1/tr EAR99 8541.10.0070 1 100V 363 µA 1V
1N5927CPE3/TR12 Microchip Technology 1N5927CPE3/TR12 1.2000
RFQ
 ECAD 4086 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5927 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 6.5 ohmios
1N6626/TR Microchip Technology 1N6626/TR 11.3550
RFQ
 ECAD 7469 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N6626/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 220 V 1.35 v @ 2 a 30 ns 2 µA @ 220 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.75a 40pf @ 10V, 1 MHz
JANTX1N973D-1/TR Microchip Technology Jantx1n973d-1/tr 5.9451
RFQ
 ECAD 7939 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N973D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
1N4552B Microchip Technology 1N4552B 54.1050
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N4552 50 W Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 20 µA @ 1 V 5.1 V 0.12 ohmios
1N3296 Microchip Technology 1N3296 93.8550
RFQ
 ECAD 6028 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento 1N3296 Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.2 v @ 200 a 50 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C 100A -
JANTXV2N930UB/TR Microchip Technology Jantxv2n930ub/tr -
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo UB - 150-jantxv2n930ub/tr 1 45 V 30 Ma - NPN - - -
JAN1N4132CUR-1/TR Microchip Technology Jan1N4132Cur-1/TR 19.9367
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1N4132Cur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 62.4 V 82 V 800 ohmios
JANHCA1N4109C Microchip Technology Janhca1n4109c -
RFQ
 ECAD 3088 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N4109C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 11.4 V 15 V 100 ohmios
1N5524UR-1/TR Microchip Technology 1N5524UR-1/TR 5.6100
RFQ
 ECAD 3659 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 20% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 173 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 3 V 5.6 V
1N6016UR-1 Microchip Technology 1N6016ur-1 3.5850
RFQ
 ECAD 5459 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 1N6016 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1
JANTX1N4491US Microchip Technology Jantx1n4491us 14.3550
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 96 V 120 V 400 ohmios
JANS1N4974/TR Microchip Technology Jans1n4974/tr 74.9802
RFQ
 ECAD 8739 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero B, axial 5 W B, axial descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4974/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 35.8 V 47 V 25 ohmios
1N6013A Microchip Technology 1N6013A 1.9950
RFQ
 ECAD 2745 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N6013 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 23 V 36 V 130 ohmios
JANS1N6874UTK2/TR Microchip Technology Jans1n6874utk2/tr 608.5500
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6874utk2/tr 50
JANTX1N6334CUS Microchip Technology Jantx1n6334cus 39.7950
RFQ
 ECAD 5090 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6334cus EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 21 V 27 V 27 ohmios
JAN1N4571A-1/TR Microchip Technology Jan1N4571A-1/TR 5.4600
RFQ
 ECAD 1510 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4571A-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 100 ohmios
JAN1N980C-1 Microchip Technology Jan1N980C-1 4.8300
RFQ
 ECAD 5186 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N980 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 47 V 62 V 185 ohmios
1N4698 Microchip Technology 1N4698 3.9750
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N4698 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 8.4 V 11 V
1N4099UR-1 Microchip Technology 1N4099ur-1 3.8250
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 1N4099 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 V 200 ohmios
CDLL4460/TR Microchip Technology CDLL4460/TR 10.2410
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 1.5 W DO-213AB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4460/TR EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 10 µA @ 3.72 V 6.2 V 4 ohmios
VP2206N3-G-P003 Microchip Technology VP2206N3-G-P003 2.6700
RFQ
 ECAD 511 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales VP2206 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 60 V 640MA (TJ) 5V, 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 3.5V @ 10mA ± 20V 450 pf @ 25 V - 740MW (TC)
1N3611E3/TR Microchip Technology 1n3611e3/tr 5.0850
RFQ
 ECAD 1223 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero A, axial Estándar A, axial descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1n3611e3/tr EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 1A -
SMBG5365A/TR13 Microchip Technology SMBG5365A/TR13 2.2200
RFQ
 ECAD 9737 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5365 5 W SMBG (DO-215AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 25.9 V 36 V 11 ohmios
JANTX1N6911UTK2CS Microchip Technology Jantx1n6911utk2cs -
RFQ
 ECAD 5972 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/723 Una granela Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Thinkey ™ 2 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 30 V 540 MV @ 25 A 1.2 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 25A
SMBJ5361B/TR13 Microchip Technology SMBJ5361B/TR13 1.6650
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5361 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 20.6 V 27 V 5 ohmios
APT30D60BCTG Microchip Technology Apt30d60bctg 4.9500
RFQ
 ECAD 335 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Apt30 Estándar To-247 [b] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 30A 1.8 V @ 30 A 85 ns 250 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
CDLL5260D/TR Microchip Technology CDLL5260D/TR 8.5950
RFQ
 ECAD 8550 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 10 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL5260D/TR EAR99 8541.10.0050 110 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 33 V 43 V 93 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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