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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | 2N5345 | 34.6800 | ![]() | 5569 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Alcanzar sin afectado | 150-2N5345 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n633336d | 49.5300 | ![]() | 7585 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6336d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 25 V | 33 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
Jansp2n5151 | 95.9904 | ![]() | 1334 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/545 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N5151 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 30 @ 2.5a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CD5259D | 8.1600 | ![]() | 8209 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | Alcanzar sin afectado | 150-CD5259D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
Janhca1n758d | - | ![]() | 5888 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N758D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5251D | 8.4150 | ![]() | 8744 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5251D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3623 | 30.6450 | ![]() | 9502 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 7 W | TO-5AA | Alcanzar sin afectado | 150-2N3623 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 5 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5327 | 22.2750 | ![]() | 3450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 7.5 W | TO-5AA | Alcanzar sin afectado | 150-2N5327 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
Jans1n4479dus | 330.2550 | ![]() | 9490 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4479dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 31.2 V | 39 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MS1N6674R | - | ![]() | 2076 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 254-3, un 254AA | 1N6674 | Polaridad Inversa Estándar | Un 254AA | Alcanzar sin afectado | 150-MS1N6674R | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Ánodo Común | 500 V | 15a (DC) | 1.35 V @ 10 A | 35 ns | 50 µA @ 400 V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | MVR2N2222AUA | - | ![]() | 7915 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 650 MW | Ua | Alcanzar sin afectado | 150-MVR2N2222AUA | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6339d | 46.9200 | ![]() | 8570 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6339d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 33 V | 43 V | 65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6016B | 2.7150 | ![]() | 9815 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6016B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 36 V | 47 V | 170 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6047 | 613.4700 | ![]() | 1852 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | Un stud de 211 MB, TO-63-4 | 114 W | TO-63 | Alcanzar sin afectado | 150-2N6047 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 20 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3997 | 273.7050 | ![]() | 3542 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | A 11-4, semental | 2 W | To-111 | Alcanzar sin afectado | 150-2N3997 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | 10 µA | NPN | 2V @ 500 Ma, 5a | 80 @ 1a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5931 | 72.1350 | ![]() | 6015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 175 W | TO-204AD (TO-3) | Alcanzar sin afectado | 150-2N5931 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 160 V | 30 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6334dus | 38.2200 | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6334dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 21 V | 27 V | 27 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SBT3035C | 62.1000 | ![]() | 9053 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | SBT3035 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | Alcanzar sin afectado | 150-SBT3035C | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 30A | 1.5 Ma @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UFR3140E3 | 65.8800 | ![]() | 1557 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | Alcanzar sin afectado | 150-UFR3140E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 30 A | 50 ns | 15 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | 115pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7808 | 468.9900 | ![]() | 5788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7808 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 200 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 0.8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2988 | 27.6600 | ![]() | 4665 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 5 W | TO-5AA | Alcanzar sin afectado | 150-2N2988 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 1 A | - | PNP | 800mV @ 20 µA, 200 µA | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | SBT2530 | 62.1000 | ![]() | 2800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | Alcanzar sin afectado | 150-SBT2530 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 1 V @ 25 A | 350 µA @ 30 V | - | 25A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n6491d | - | ![]() | 3669 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6491d | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
MQ2N4858 | 54.6231 | ![]() | 6574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 360 MW | TO-18 (TO-206AA) | Alcanzar sin afectado | 150 MQ2N4858 | 1 | N-canal | 40 V | 18pf @ 10V | 40 V | 8 Ma @ 15 V | 800 MV @ 500 Pa | 60 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4488d | 41.2350 | ![]() | 3987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4488d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 72.8 V | 91 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2C5339JS | 19.2450 | ![]() | 5584 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | Alcanzar sin afectado | 150-2C5339JS | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7707 | 468.9900 | ![]() | 8029 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7707 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 800 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 0.7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
Jans1n6323c | 280.2750 | ![]() | 7674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6323c | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6345c | 37.5300 | ![]() | 7107 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N6345C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
1N5528C | 11.3550 | ![]() | 2452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | Alcanzar sin afectado | 150-1N5528C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.5 V | 8.2 V | 40 ohmios |
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