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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
JANTX1N5525B-1 Microchip Technology Jantx1n5525b-1 7.1700
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5525 500 MW Do-35 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5 V 6.2 V 30 ohmios
JANTX1N989BUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n989bur-1/tr -
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 400 MW DO-213AA descascar 150-JantX1N989Bur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 114 V 150 V 1500 ohmios
1N6701US/TR Microchip Technology 1N6701US/TR 30.1200
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SQ-Melf, C Schottky D-5C - 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 470 MV @ 5 A 200 µA @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 5A -
JAN1N4959US/TR Microchip Technology Jan1N4959US/TR 8.0332
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4959US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µA @ 8.4 V 11 V 2.5 ohmios
1N5314-1 Microchip Technology 1N5314-1 18.8100
RFQ
 ECAD 7911 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5314 500MW Do-7 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 5.17MA 2.9V
JANTXV1N749C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n749c-1/tr 10.2410
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N749C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
JANTXV1N3040DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3040dur-1/tr 50.5932
RFQ
 ECAD 5441 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n3040dur-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 51.7 V 68 V 150 ohmios
JAN1N6491US Microchip Technology Jan1n6491us -
RFQ
 ECAD 3609 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 500 na @ 2 V 5.6 V 5 ohmios
1N6341US Microchip Technology 1N6341US 14.6400
RFQ
 ECAD 9778 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 1N6341 500 MW B, SQ-Melf descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 39 V 51 V 85 ohmios
JAN1N829-1/TR Microchip Technology Jan1N829-1/TR 9.1050
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/159 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% - A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1N829-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.2 V 15 ohmios
MCP87022T-U/MF Microchip Technology MCP87022T-U/MF -
RFQ
 ECAD 4757 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn MCP87022 Mosfet (Óxido de metal) 8-PDFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3,300 N-canal 25 V 100A (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 25A, 10V 1.6V @ 250 µA 29 NC @ 4.5 V +10V, -8V 2310 pf @ 12.5 V - 2.2W (TA)
1N6642UBD Microchip Technology 1N6642ubd 17.5200
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo Estándar UB - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1.2 V @ 100 Ma 5 ns - - 5PF @ 0V, 1MHz
CD6348 Microchip Technology CD6348 2.1014
RFQ
 ECAD 5518 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - - Montaje en superficie Morir Morir - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD6348 EAR99 8541.10.0050 1
1N4756CP/TR12 Microchip Technology 1N4756CP/TR12 2.2800
RFQ
 ECAD 6468 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4756 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
LSM540GE3/TR13 Microchip Technology LSM540GE3/TR13 0.7500
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-215AB, Ala de Gaviota SMC LSM540 Schottky DO-215AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 520 MV @ 5 A 2 Ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
JANTXV1N3305RB Microchip Technology Jantxv1n3305rb -
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/358 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje Do-203ab, do-5, semental 50 W Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 300 µA @ 4.5 V 6.8 V 0.2 ohmios
JANTX1N4983 Microchip Technology Jantx1n4983 8.9400
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 1N4983 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 83.6 V 110 V 125 ohmios
JAN1N6911UTK2CS/TR Microchip Technology Jan1n6911utk2cs/tr 364.6950
RFQ
 ECAD 7477 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 2 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY Thinkey ™ 2 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N6911UTK2CS/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 540 MV @ 25 A 1.2 Ma @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 25A
UZ5745 Microchip Technology UZ5745 32.2650
RFQ
 ECAD 1468 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero B, axial 5 W B, axial - Alcanzar sin afectado 150-UZ5745 EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 34.2 V 45 V 20 ohmios
1N3742 Microchip Technology 1N3742 151.2750
RFQ
 ECAD 3607 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AB, DO-9, Semento Estándar DO-205AB (DO-9) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N3742 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 190 ° C 275a -
R716 Microchip Technology R716 55.6500
RFQ
 ECAD 6066 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 R716 Estándar TO-204AD (TO-3) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.4 V @ 15 A 200 ns 1 Ma @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 15A -
JANTXV1N4620CUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n4620cur-1/tr 27.2251
RFQ
 ECAD 3429 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N4620CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 3.5 µA @ 1.5 V 3.3 V 1.65 ohmios
JAN1N979DUR-1 Microchip Technology Jan1n979dur-1 14.2500
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N979 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 43 V 56 V 150 ohmios
S21100 Microchip Technology S21100 33.4500
RFQ
 ECAD 7273 0.00000000 Tecnología de Microchip S21 Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento S21100 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 200 ° C 22A -
1PMT4117E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4117E3/TR7 -
RFQ
 ECAD 4478 0.00000000 Tecnología de Microchip PowerMite® Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1pmt4117 1 W DO-216 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 19 V 25 V 150 ohmios
JANTXV1N4627C-1 Microchip Technology Jantxv1n4627c-1 20.5650
RFQ
 ECAD 1918 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4627 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 5 V 6.2 V 1200 ohmios
JANS1N6488CUS/TR Microchip Technology Jans1n6488cus/tr -
RFQ
 ECAD 4758 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n6488cus/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 5 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
CDLL5256B/TR Microchip Technology CDLL5256B/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 10 MW DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5256B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 23 V 30 V 49 ohmios
JANSL2N5151L Microchip Technology Jansl2n5151l 98.9702
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/545 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-Jansl2n5151l 1 80 V 2 A 50 µA PNP 1.5V @ 500mA, 5A 30 @ 2.5a, 5V -
JANTX1N4123CUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4123cur-1/tr 21.7056
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4123CUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 29.7 V 39 V 200 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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