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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Aplicacionales	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Real - Corte de Coleción (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició	Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max)	Corriente del Regulador (Max)	Voltaje - Limitante (Max)
SMBJ5376BE3/TR13	0.8250	RFQ	5546	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5376		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000													1.2 v @ 1 a		500 na @ 63 V							87 V	75 ohmios
1N2256A	44.1600	RFQ	9179	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo				Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2256A	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											500 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
Ncc1098/tr	-	RFQ	9407	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo										-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-NCC1098/TR			1
Jantx1n4621c-1	23.6850	RFQ	1385	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4621		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1															3.5 µA @ 2 V							3.6 V	1700 ohmios
1N5944PE3/TR8	0.9150	RFQ	2938	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C		A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5944		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500													1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V							62 V	100 ohmios
Jantxv1n5520d-1	29.2200	RFQ	2852	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C		A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5520		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V							3.9 V	22 ohmios
Jans1n941b-1	-	RFQ	8689	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/157	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N941		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1															15 µA @ 8 V							11.7 V	30 ohmios
Jan1n3024bur-1/TR	11.4247	RFQ	1276	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1N3024Bur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V							15 V	14 ohmios
CDLL4963	11.1450	RFQ	6660	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo										-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4963	EAR99	8541.10.0050	1
2N3491	547.4100	RFQ	7634	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		Montaje	TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD			115 W	TO-61	-			Alcanzar sin afectado	150-2N3491	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	7 A	-			NPN	-	-	-
Jantxv2n5339p	19.2717	RFQ	8514	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/560	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 200 ° C		A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN			1 W	TO-39 (TO-205Ad)	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv2n5339p			1																			100 V	5 A	100 µA			NPN	1.2V @ 500 Ma, 5a	60 @ 2a, 2v	-
Jantxv1n4617c-1/tr	13.2335	RFQ	8344	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4617C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V							2.4 V	1400 ohmios
1N3040B-1	8.1900	RFQ	9149	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C		A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3040		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V							68 V	150 ohmios
1N5256A-1	2.1000	RFQ	5880	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5256A-1	EAR99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 22 V							30 V	49 ohmios
Jan1n4620ur-1/TR	6.9160	RFQ	5105	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C		Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N4620UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 Ma		3.5 µA @ 1.5 V							3.3 V	1650 ohmios
Jantx1n5530cur-1	38.1750	RFQ	9205	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5530		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.1 V							10 V	60 ohmios
Jan2N3810U/TR	32.5052	RFQ	8744	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/336	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)		A Través del Aguetero	TO-78-6 METAL CAN	2N3810		350MW	Un 78-6	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero2N3810U/TR	EAR99	8541.21.0095	1																			60V	50mera	10 µA (ICBO)			2 PNP (dual)	250mv @ 100 µA, 1 mA	150 @ 1 MMA, 5V	-
Jans1n4135dur-1	147.2700	RFQ	7861	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 76 V							100 V	1500 ohmios
Jantx1n5187/tr	12.4350	RFQ	1421	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/424	Tape & Reel (TR)	Activo				A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N5187/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)											200 V	1.5 v @ 9 a	200 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N1200A	34.7100	RFQ	4357	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo				Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1200	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N1200ams	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)											100 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
Jantx1n758cur-1	10.9050	RFQ	1093	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C		Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N758		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 8 V							10 V	17 ohmios
CD4567	7.3650	RFQ	4913	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	0 ° C ~ 75 ° C		Montaje en superficie	Morir				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4567	EAR99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 V	200 ohmios
1N5359A/TR8	2.6250	RFQ	7594	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C		A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5359		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000													1.2 v @ 1 a		500 na @ 17.3 V							24 V	3.5 ohmios
Jans1n5287ur-1/tr	130.3050	RFQ	7371	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/463	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	-	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			500MW	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n5287ur-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1																												100V	363 µA	1V
1 PMT5950C/TR13	2.7600	RFQ	4402	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C		Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5950		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000													1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 83.6 V							110 V	300 ohmios
CDLL5520C/TR	12.3900	RFQ	7947	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5520C/TR	EAR99	8541.10.0050	100													1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 1 V							3.9 V	22 ohmios
SMBG5372BE3/TR13	1.1400	RFQ	1501	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C		Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5372		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000													1.2 v @ 1 a		500 na @ 44.6 V							62 V	42 ohmios
1N6030ur	3.5850	RFQ	2691	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo						1N6030				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n4476us	74.0850	RFQ	1009	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)		Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1													1.5 v @ 1 a		50 na @ 24 V							30 V	20 ohmios
TP5322K1-G	0.7500	RFQ	8	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	TP5322	Mosfet (Óxido de metal)		TO36AB (SOT23)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P	220 V	120MA (TJ)	4.5V, 10V	12ohm @ 200Ma, 10V	2.4V @ 1MA	± 20V	110 pf @ 25 V	-	360MW (TA)