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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia @ if, f Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
TN5335N8-G Microchip Technology TN5335N8-G 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA TN5335 Mosfet (Óxido de metal) TO-243AA (SOT-89) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 350 V 230MA (TJ) 3V, 10V 15ohm @ 200Ma, 10V 2v @ 1 mapa ± 20V 110 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
CDLL5300/TR Microchip Technology CDLL5300/TR 25.2900
RFQ
 ECAD 8071 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) CDLL53 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5300/TR EAR99 8541.10.0050 1 100V 1.43MA 1.5V
JANTXV1N3037B-1 Microchip Technology Jantxv1n3037b-1 11.8800
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3037 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
JANTX1N5301UR-1/TR Microchip Technology Jantx1n5301ur-1/tr 38.4300
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5301 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n5301ur-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.54mA 1.55V
JANTXV1N5314UR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5314ur-1/tr 44.0700
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5314 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n5314ur-1/tr EAR99 8541.10.0070 1 100V 5.17MA 2.9V
JAN1N5294-1/TR Microchip Technology Jan1N5294-1/TR 31.6650
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5294 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N5294-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 825 µA 1.2V
SMBG5347AE3/TR13 Microchip Technology SMBG5347AE3/TR13 1.1250
RFQ
 ECAD 1910 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5347 5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 5 µA @ 7.2 V 10 V 2 ohmios
APTGLQ40HR120CT3G Microchip Technology Aptglq40hr120ct3g 88.2307
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sp3 Aptglq40 250 W Estándar Sp3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Parada de Campo de Trinchera 1200 V 75 A 2.4V @ 15V, 40A 100 µA Si 2.3 NF @ 25 V
JANTX1N4472US Microchip Technology Jantx1n4472us 14.4900
RFQ
 ECAD 6706 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1N4472 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 16 V 20 V 650 ohmios
JAN1N4961 Microchip Technology Jan1n4961 -
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µA @ 9.9 V 13 V 3 ohmios
JANTX1N5195UR/TR Microchip Technology Jantx1n5195ur/tr -
RFQ
 ECAD 6928 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/118 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Estándar DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n5195ur/TR EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 180 V 1 V @ 100 Ma -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JANS2N3507AL Microchip Technology Jans2n3507al 70.3204
RFQ
 ECAD 1762 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/349 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 1 W TO-5AA - Alcanzar sin afectado 150-jans2n3507al 1 50 V 3 A 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 35 @ 500mA, 1V -
UM9401F Microchip Technology UM9401F -
RFQ
 ECAD 3196 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -65 ° C ~ 175 ° C 2-SMD - - Alcanzar sin afectado 150-UM9401F EAR99 8541.10.0060 1 4 W 0.9pf @ 50V, 1MHz PIN - Single 50V 750mohm @ 50 mm, 100MHz
MVR2N2222AUB Microchip Technology MVR2N2222AUB -
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 500 MW Un 18 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-MVR2N222222AUB EAR99 8541.21.0095 1 50 V 800 Ma 50NA NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V -
CDLL6487 Microchip Technology CDLL6487 14.9100
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf CDLL6487 1.5 W DO-213AB - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 35 µA @ 1 V 3.9 V 9 ohmios
JANHCA1N746C Microchip Technology Janhca1n746c -
RFQ
 ECAD 1986 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N746C EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
JANS1N4982CUS Microchip Technology Jans1n4982cus 343.6210
RFQ
 ECAD 7056 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4982cus EAR99 8541.10.0050 1
1N4148UBCD/TR Microchip Technology 1N4148UBCD/TR 27.0900
RFQ
 ECAD 6480 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1N4148 Estándar UBC descascar Alcanzar sin afectado 150-1N4148UBCD/TR EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 75 V 1A 800 MV @ 100 Ma 5 ns 25 na @ 20 V -65 ° C ~ 200 ° C
JANTXV1N5288-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5288-1/tr 36.5700
RFQ
 ECAD 1450 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5288 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5288-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 429 µA 1.05V
APTDF450U60G Microchip Technology APTDF450U60G 103.9600
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Monte del Chasis LP4 Aptdf450 Estándar LP4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.8 V @ 500 A 115 ns 2.5 mA @ 600 V 500A -
1N4753AUR Microchip Technology 1N4753AUR 3.4650
RFQ
 ECAD 8579 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 1N4753 1 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 27.4 V 36 V 50 ohmios
JAN1N5312UR-1/TR Microchip Technology Jan1N5312ur-1/TR 30.4650
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5312 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1n5312ur-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 4.29mA 2.6V
JANTXV1N5297UR-1 Microchip Technology Jantxv1n5297ur-1 -
RFQ
 ECAD 7906 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Una granela Descontinuado en sic -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5297 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 1.1mA 1.35V
CDLL4109D/TR Microchip Technology CDLL4109D/TR 7.8071
RFQ
 ECAD 6142 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - - - - - descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4109D/TR EAR99 8541.10.0050 1
JANTX1N2986B Microchip Technology Jantx1n2986b -
RFQ
 ECAD 9546 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 18.2 V 24 V 5 ohmios
JANHCA1N5286 Microchip Technology Janhca1n5286 -
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N5286 EAR99 8541.10.0070 1 100V 330 µA 1V
2N3507U4 Microchip Technology 2N3507U4 60.6081
RFQ
 ECAD 8511 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 2N3507 1 W U4 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 50 V 3 A 1 µA NPN 1.5V @ 250 Ma, 2.5a 35 @ 500mA, 1V -
JANTX2N3725L Microchip Technology Jantx2n3725l -
RFQ
 ECAD 9219 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN A-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 50 V 500 mA - NPN - - -
JAN1N5196 Microchip Technology Jan1n5196 17.1600
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/118 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 225 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 250 V -65 ° C ~ 175 ° C 100mA -
JAN1N5295-1/TR Microchip Technology Jan1N5295-1/TR 31.6650
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5295 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N5295-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 902 µA 1.25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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