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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
JANTX1N971D-1/TR Microchip Technology Jantx1n971d-1/tr 7.2219
RFQ
 ECAD 8241 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N971D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
1N5807/TR Microchip Technology 1N5807/TR 7.3650
RFQ
 ECAD 1474 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero B, axial Estándar B, axial descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N5807/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 875 MV @ 4 A 30 ns 5 µA @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A 60pf @ 10V, 1 MHz
JANTX1N2822RB Microchip Technology Jantx1n2822rb -
RFQ
 ECAD 8504 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/114 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AD 1N2822 10 W TO-204AD (TO-3) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 20.6 V 27 V 2.8 ohmios
1N5927BPE3/TR8 Microchip Technology 1N5927BPE3/TR8 0.9450
RFQ
 ECAD 1538 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N5927 1.5 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 V 6.5 ohmios
SMBJ4757E3/TR13 Microchip Technology SMBJ4757E3/TR13 0.4350
RFQ
 ECAD 3838 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ4757 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
JAN1N4627C-1/TR Microchip Technology Jan1N4627C-1/TR 8.6317
RFQ
 ECAD 3364 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1N4627C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 5 V 6.2 V 1200 ohmios
VN0109N3-G Microchip Technology VN0109N3-G 0.9000
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN0109 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 90 V 350MA (TJ) 5V, 10V 3ohm @ 1a, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 65 pf @ 25 V - 1W (TC)
688-25 Microchip Technology 688-25 280.3200
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Monte del Chasis Módulo Estándar - - Alcanzar sin afectado 150-688-25 EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 25000 V 42 V @ 400 Ma 500 ns 2 µA @ 25000 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA -
JANTXV1N6325C Microchip Technology Jantxv1n6325c 37.5300
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N6325C EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 1 µA @ 8.5 V 11 V 7 ohmios
JANS1N4616DUR-1/TR Microchip Technology Jans1n4616dur-1/tr 145.5408
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4616dur-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 1 V 2.2 V 1.3 ohmios
CD5272B Microchip Technology CD5272B 1.4497
RFQ
 ECAD 7540 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD5272B EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 na @ 84 V 110 V 750 ohmios
JAN1N6323CUS/TR Microchip Technology Jan1n6323cus/tr 63.8550
RFQ
 ECAD 4727 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-Enero1n6323cus/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 1 µA @ 7 V 9.1 V 6 ohmios
JANTX1N4568A-1/TR Microchip Technology Jantx1n4568a-1/tr 7.8450
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/452 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4568A-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 200 ohmios
JAN2N4235L Microchip Technology Jan2N4235L 39.7936
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN 1 W TO-39 (TO-205Ad) - Alcanzar sin afectado 150-Enero2N4235L EAR99 8541.29.0095 1 60 V 1 A 1mera PNP 600mv @ 100 mm, 1a 40 @ 100mA, 1V -
JANTX1N4470US/TR Microchip Technology Jantx1n4470us/tr 14.0448
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4470US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 12.8 V 16 V 10 ohmios
R43140TS Microchip Technology R43140TS 102.2400
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento Estándar DO-205AA (DO-8) - Alcanzar sin afectado 150-R43140TS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1400 V 1.1 v @ 200 a 50 µA @ 1400 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
JAN1N6636 Microchip Technology Jan1n6636 -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero E, axial 5 W E, axial - Alcanzar sin afectado 150-Enero1n6636 EAR99 8541.10.0050 50 1.5 v @ 1 a 20 µA @ 1 V 4.7 V 2 ohmios
JAN1N3995A Microchip Technology Jan1n3995a -
RFQ
 ECAD 6036 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 2266-Enero1n3995a EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 50 µA @ 1 V 4.7 V 1.2 ohmios
JANTXV1N4482US/TR Microchip Technology Jantxv1n4482us/tr 17.7750
RFQ
 ECAD 6343 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W D-5A - 150-JantXV1N4482US/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 50 na @ 40.8 V 51 V 60 ohmios
1N4583A/TR Microchip Technology 1N4583A/TR 9.1200
RFQ
 ECAD 2796 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4583A/TR EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 V 25 ohmios
CDS969B-1/TR Microchip Technology CDS969B-1/TR -
RFQ
 ECAD 2454 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-CDS969B-1/TR EAR99 8541.10.0050 50
JAN1N6623US/TR Microchip Technology Jan1n6623us/tr 12.1650
RFQ
 ECAD 2157 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/585 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sq-melf, un Estándar D-5A - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N6623US/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 880 V 1.55 v @ 1 a 50 ns 500 na @ 880 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 10V, 1 MHz
JANTX1N3016DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n3016dur-1/tr 41.9482
RFQ
 ECAD 9784 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n3016dur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 150 µA @ 5.2 V 6.8 V 3.5 ohmios
JANTX1N6347DUS/TR Microchip Technology Jantx1n6347dus/tr 58.0500
RFQ
 ECAD 4944 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - 150-Jantx1n6347dus/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.4 v @ 1 a 50 na @ 69 V 91 V 270 ohmios
JANTXV2N3418 Microchip Technology Jantxv2n3418 21.4263
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/393 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3418 1 W A-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 60 V 3 A 5 µA NPN 500mv @ 200MA, 2a 20 @ 1a, 2v -
SMAJ4734AE3/TR13 Microchip Technology Smaj4734ae3/tr13 0.6450
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj473 2 W DO-214AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 2 V 5.6 V 5 ohmios
2N3468L Microchip Technology 2N3468L 11.5710
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN 2N3468 1 W TO-5AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 50 V 1 A 100na PNP 1.2v @ 100 mA, 1A 25 @ 1a, 5v 500MHz
1N2136A Microchip Technology 1N2136A 74.5200
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Estándar DO-5 (DO-203AB) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2136A EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 450 V 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 450 V -65 ° C ~ 200 ° C 70a -
1N3329A Microchip Technology 1N3329A 49.3800
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3329 50 W Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 32.7 V 45 V 4.5 ohmios
JAN1N6772 Microchip Technology Jan1n6772 -
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Un 257-3 Estándar Un 257 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.6 v @ 8 a 60 ns 10 µA @ 320 V - 8A 200pf @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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