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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4902A/TR | 102.4200 | ![]() | 5268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 400 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4902A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4134ur-1 | 9.4950 | ![]() | 8972 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4134 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 69.2 V | 91 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | 1N3766 | 59.5650 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3766 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3766MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||||||
Jan1n6485cus | - | ![]() | 7050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n7037ccu1/tr | 241.9800 | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N7037 | Schottky | U1 (SMD-1) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n7037ccu1/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 35a | 1.22 v @ 35 a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n972bur-1 | 7.5600 | ![]() | 7185 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N972 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4734E3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 2194 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4734 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n6324 | 14.6700 | ![]() | 5887 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 8 V | 10 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||
![]() | 1N2831B | 94.8900 | ![]() | 6240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2831 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 38.8 V | 51 V | 5.2 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | HSM840JE3/TR13 | 1.2000 | ![]() | 5511 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM840 | Schottky | DO-214AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 620 MV @ 8 A | 250 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||||||||||
Jantx2n4033ub | 25.8020 | ![]() | 4896 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/512 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N4033 | 500 MW | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mapa, 1a | 100 @ 100 maja, 5v | - | |||||||||||||||||
![]() | SMBJ5373CE3/TR13 | 1.0800 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5373 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 49 V | 68 V | 44 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n3164r | - | ![]() | 8315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/211 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | |||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5812 | - | ![]() | 2859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Una granela | Descontinuado en sic | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||
![]() | UPS180/TR13 | 0.6300 | ![]() | 1644 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | UPS180 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3023b-1/tr | 10.6799 | ![]() | 6555 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3023B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | SMBG5365A/TR13 | 2.2200 | ![]() | 9737 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5365 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 25.9 V | 36 V | 11 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL4696E3 | 3.4950 | ![]() | 3665 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4696 | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.9 V | 9.1 V | |||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4577aur-1 | 13.8900 | ![]() | 9799 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4577 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | SMBJ534444AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 7067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5344 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||
![]() | CDLL5541B/TR | 5.9052 | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5541B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
Jantx1n5525c-1/tr | 16.4388 | ![]() | 7537 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5525C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||
Jantx1n4131-1/tr | 4.8412 | ![]() | 6111 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4131-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 57 V | 75 V | 700 ohmios | ||||||||||||||||||||
Jantxv1n5526c-1 | 23.3700 | ![]() | 8857 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5526 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | CD937A | 23.0250 | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD937A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||
Jan1n4971c | 14.9250 | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4971 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | |||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4472 | 83.8650 | ![]() | 7395 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 16 V | 20 V | 12 ohmios | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n971cur-1 | 11.3850 | ![]() | 2213 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N971 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||
2N1890S | 20.6815 | ![]() | 3203 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 800 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 500 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 5V @ 15 Ma, 150 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||
1N4623-1 | 2.6400 | ![]() | 1766 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N4623 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios |
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