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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Tipo scr | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | 1N5944B | 3.4050 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5944 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4120ur | 3.7950 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4120 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||
Jantxv2n3467 | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/348 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 100 mA, 1a | 40 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||
Jantxv1n982c-1 | 7.5750 | ![]() | 5643 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N982 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 56 V | 75 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
UZ220 | 22.4400 | ![]() | 3969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 3 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ220 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n6319c | 31.8300 | ![]() | 2229 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6319 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 3 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
1N3070-1 | 7.0200 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N3070 | Estándar | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 175 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||
1N829AE3/TR | 13.8150 | ![]() | 2711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N829AE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n2804b | - | ![]() | 4262 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2804 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 4.5 V | 6.8 V | 0.2 ohmios | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6874utk2cs | 364.5450 | ![]() | 8455 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/469 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Estándar | Thinkey ™ 2 | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6874UTK2CS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 V @ 400 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n6910utk2as/tr | 451.7100 | ![]() | 6786 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 2 | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6910UTK2AS/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 15 V | 520 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 2000pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4490us/tr | 162.1650 | ![]() | 6759 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4490us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 88 V | 110 V | 300 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4975/tr | 6.5037 | ![]() | 5315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | - | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4975/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 38.8 V | 51 V | 27 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6315c | 36.0300 | ![]() | 5840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6315 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3261R | 158.8200 | ![]() | 1862 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3261 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3261RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | SBR6035R | 126.8400 | ![]() | 5368 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 600 MV @ 60 A | -65 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL758/TR | 2.7132 | ![]() | 4220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL758/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n6336us | 24.4500 | ![]() | 8763 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6336 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 25 V | 33 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jan1n5622 | 6.0000 | ![]() | 6715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5622 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||
Jans1n4460dus | 330.2550 | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 V | 4 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4979dus/tr | 460.3500 | ![]() | 1772 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jans1n4979dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 56 V | 75 V | 55 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
1N5526C/TR | 11.5500 | ![]() | 1535 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5526C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4492us | 14.3550 | ![]() | 3633 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4492 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 104 V | 130 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5195/TR | 7.3416 | ![]() | 6434 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5195/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 180 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | DSB0.5A20 | - | ![]() | 6280 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DSB0.5 | Schottky | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 650 MV @ 500 Ma | 10 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 60pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2n5153u3 | 93.6586 | ![]() | 6935 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/545 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1.16 W | U3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 MA | 1mera | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2993RB | 40.3200 | ![]() | 4024 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2993 | 10 W | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||||||||
Jantx1n4118-1/tr | 4.8412 | ![]() | 8422 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4118-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
1N826/TR | 6.3600 | ![]() | 7076 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N826/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n2329a | - | ![]() | 1763 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/276 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 2 MA | 400 V | 600 MV | - | 20 µA | 220 Ma | Puerta sensible |
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