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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S4280il | 102.2400 |  | 2733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S4280il | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||||||||||
| Jantxv1n2843rb | - | | 3674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2843 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 114 V | 150 V | 75 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantx1n6643us | 6.9300 | | 6855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, D | 1N6643 | Estándar | D-5D | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 125 V | 1.2 V @ 100 Ma | 6 ns | 50 na @ 20 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
 | CDLL4614E3 | 3.0989 | | 1685 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4614E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 V | 1200 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jan2n3421s | 16.5053 | | 7535 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/393 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3421 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 3 A | 5 µA | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 40 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||
 | Jantxv1n4112-1 | 9.0450 | | 8470 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4112 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 13.7 V | 18 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
 | SBR6045 | 126.8400 | | 2583 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | SBR6045 | Schottky | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 600 MV @ 60 A | 2 Ma @ 45 V | 60A | - | |||||||||||||||||
 | Jans1n6642ub2r | 80.1900 | | 8122 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | - | - | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n6326d | 45.0600 | | 4162 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n6326d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3041c-1/tr | 33.8618 | | 5649 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3041C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||||||||
 | CDLL6318 | 16.1400 | | 1459 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL6318 | 500 MW | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||
| Jans1n6314dus | 412.1550 | | 1144 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Banda | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6314 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantxv1n2827b | - | | 3990 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2827 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N4742P/TR8 | 1.8600 | | 1808 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4742 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N4979 | 6.7950 | | 3452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4979 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 56 V | 75 V | 55 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N4754PE3/TR12 | 0.9150 | | 8542 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4754 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N5537D/TR | 5.8650 | | 3733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5537D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 161 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||
| MSASC100H100HX/TR | - | | 5653 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H100HX/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan2N3250AUB/TR | - | | 4998 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/323 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | 2N3250 | 360 MW | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero2n3250aub/TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 200 MA | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||
| Jan2N5339 | 9.5494 | | 6748 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/560 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N5339 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 5 A | 100 µA | NPN | 1.2V @ 500 Ma, 5a | 60 @ 2a, 2v | - | ||||||||||||||
 | Jantx1n6311us/tr | 21.0750 | | 2341 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6311 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N5267A | 3.0750 | | 1472 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5267 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 53 V | 75 V | 270 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N4744APE3/TR12 | 0.9450 | | 1629 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4744 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4739APE3/TR8 | 0.9450 | | 2024 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4739 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantxv1n4996cus/tr | - | | 2892 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | E-Mada | descascar | 150-jantxv1n4996cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 297 V | 390 V | 1800 ohmios | |||||||||||||||||||
| CDLL4688 | 4.1100 | | 5250 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4688 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 4.7 V | |||||||||||||||||
| Jan1n5814 | - | | 8187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||
| Jans1n4993c | 249.4500 | | 5519 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 228 V | 300 V | 950 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N4733CPE3/TR12 | 1.1550 | | 4632 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4733 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jans1n4954 | 181.4550 | | 1676 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios |
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