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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n6857ur-1 | - |  | 2654 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 16 V | 750 MV @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
 | Jansp2n3501ub | 94.3500 | | 4380 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANSP2N3501ub | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 2C6189 | 24.3450 | | 6117 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-2C6189 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | 1N756 | 2.1600 | | 1973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N756 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 8.2 V | 8 ohmios | |||||||||||
| 1N6895UTK1 | 259.3500 | | 3368 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6895UTK1 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | CDLL5916B | 3.9300 | | 3467 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5916 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 6 ohmios | |||||||||
| 1N5533C | 11.3550 | | 9424 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5533C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 11.7 V | 13 V | 90 ohmios | |||||||||||
 | SMBJ5358B/TR13 | 1.6650 | | 7135 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5358 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.8 V | 22 V | 3.5 ohmios | |||||||||
| S3170 | 49.0050 | | 5002 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S3170 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| 1N3495 | 66.2550 | | 4926 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-208AA | Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3495 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||
| 1N3741 | 158.8200 | | 2457 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3741 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||
 | 1N3595U/TR | 9.3898 | | 4018 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3595U/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 V @ 200 Ma | 3 µs | 1 na @ 125 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 4A | - | |||||||||
| 1N3624R | 44.1600 | | 1814 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N3624R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 30 A | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 25A | - | ||||||||||
| HSM550GE3/TR13 | 1.1700 | | 1141 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | HSM550 | Schottky | DO-215AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 650 MV @ 5 A | 250 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||
| 1N6905UTK3CS/TR | 259.3500 | | 6692 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6905UTK3CS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
| UFS560G/TR13 | 4.1400 | | 4051 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | UFS560 | Estándar | DO-215AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.35 v @ 5 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||
| 1N3070UR/TR | 9.2100 | | 7421 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150-1N3070ur/TR | 100 | ||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6642ubcc/tr | 26.0813 | | 1012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Estándar | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6642ubcc/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | - | ||||||||
 | 1N5359A/TR8 | 2.6250 | | 7594 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5359 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 17.3 V | 24 V | 3.5 ohmios | |||||||||
 | 1N6079/TR | 34.6500 | | 4090 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6079/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.5 V @ 37.7 A | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 155 ° C | 2a | - | ||||||||
| 1N4148ub2r | 27.0900 | | 1818 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | 1N4148 | Estándar | UB2 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||
| S4370 | 112.3200 | | 4995 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S4370 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| 1N3882 | 47.0100 | | 1603 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3882 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3882MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.4 V @ 20 A | 200 ns | 15 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 6A | 115pf @ 10V, 1 MHz | |||||||
 | Jantxv1n5807/tr | 15.5400 | | 4351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5807/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 65pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
| S4280il | 102.2400 | | 2733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S4280il | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | ||||||||||
 | 1n6626ue3/tr | 12.2250 | | 10000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Polaridad Inversa Estándar | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n6626ue3/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 220 V | 1.35 v @ 2 a | 45 ns | 2 µA @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5188 | - | | 9914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 9 a | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
| 1N3900R | 48.5400 | | 6963 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3900 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 V @ 63 A | 200 ns | 50 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 20A | 150pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
| 1N6872UTK2AS | 259.3500 | | 9202 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6872UTK2AS | 1 | |||||||||||||||||||||||
| MSASC75W60FV/TR | - | | 3675 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC75W60FV/TR | 100 |
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