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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N7037CCU1 | 169.4100 |  | 3078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N7037 | Schottky | U1 (SMD-1) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 35a | 1.22 v @ 35 a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||
 | 90024-02TXV | - | | 4996 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | A 3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||
 | Jantx2n3468 | - | | 2628 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/348 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3468 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 100 mA, 1A | 25 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||
 | 1N4131 | - | | 8016 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 400 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Q8115035 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 10 na @ 57 V | 75 V | 700 ohmios | |||||||||||||||||
 | CDLL748A | 2.8650 | | 8163 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL748 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N5711ubca/TR | 32.0600 | | 7651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||
 | 1N5351B/TR12 | 2.6850 | | 9813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5351 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.1 V | 14 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1 PMT5951AE3/TR7 | 0.7350 | | 1306 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5951 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 V | 380 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N3042B-1 | 8.1900 | | 2340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3042 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N6013B | 2.0700 | | 9567 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6013 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N6013bms | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1n4119dur-1 | 27.9150 | | 8168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4119 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 21.3 V | 28 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4370c-1 | 19.8300 | | 1661 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4370 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N5240B | 2.0700 | | 9696 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5240 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5240BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||
| CDLL3016A | 16.1100 | | 7805 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3016 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||||
| 5822SMG/TR13 | - | | 6386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | Schottky | DO-215AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 1.5 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||
| 1 PMT4104CE3/TR7 | 0.4950 | | 4859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4104 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7.6 V | 10 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
 | 1N5946C | 6.0249 | | 4553 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5946C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jan1n4971cus/tr | 21.3150 | | 4840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Enero1n4971cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n972dur-1/tr | 21.6258 | | 8638 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n972dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | ||||||||||||||||||
 | CDLL5518A/TR | 5.9052 | | 7223 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5518A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 900 MV | 3.3 V | 26 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n2834b | - | | 2846 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2834 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 51.7 V | 68 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n4121cur-1 | 28.8000 | | 6760 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4121 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 25.1 V | 33 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N5943CE3/TR13 | - | | 7453 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5943 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | |||||||||||||||||
| 2N4906 | 45.1535 | | 8021 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N4906 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n3036cur-1 | 32.5950 | | 4285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3036 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N4750AG | 2.7797 | | 1194 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4750AG | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jansl2n5151u3 | 229.9812 | | 4032 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1.16 W | U3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansl2N5151U3 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | PNP | 1.5V @ 500mA, 5A | 30 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||||||
| 1N5278B | 2.7664 | | 2798 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5278B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 129 V | 170 V | 1900 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jan1N4110-1/TR | 3.7772 | | 1990 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N4110-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.2 V | 16 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||
| SD24150 | 63.3000 | | 7709 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | SD2415 | - | Alcanzar sin afectado | 150-SD24150 | 1 |
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