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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1n991bur-1 | 14.2050 |  | 9093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N991 | 400 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | UFS115JE3/TR13 | 1.0950 | | 8860 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214BA | UFS115 | Estándar | DO-214BA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT4626E3/TR13 | 0.4950 | | 6079 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4626 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4109ur-1 | 8.7600 | | 5571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4109 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n3040cur-1 | 32.5950 | | 5221 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3040 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n4977cus/tr | 41.0400 | | 3704 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jantxv1n4977cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4738AP/TR8 | 1.8900 | | 4805 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4738 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | TN0620N3-G-P014 | 1.3200 | | 6992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0620 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 200 V | 250MA (TJ) | 5V, 10V | 6ohm @ 500 mA, 10V | 1.6V @ 1 MMA | ± 20V | 150 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | 1N5274-1 | 3.0750 | | 4348 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5274-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 94 V | 130 V | 1100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jans2n3506 | 70.3204 | | 4580 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans2n3506 | 1 | 40 V | 3 A | 1 µA | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 50 @ 500mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv2n6649 | 132.2286 | | 3824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/527 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 5 W | TO-204AA (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 10 A | 1MA (ICBO) | PNP - Darlington | 3V @ 100 Ma, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Jans1n4974us/tr | 86.0502 | | 8950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4974us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 35.8 V | 47 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n984d | - | | 2265 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N984D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4615-1 | 5.2800 | | 2512 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | Jantx1n4615-1ms | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 V | 1250 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N4103-1/TR | 2.3408 | | 4563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4103-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N4689E3 | 4.5900 | | 6131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4689E3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4106d-1 | 15.3300 | | 2580 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4106 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.2 V | 12 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n6659r | 298.6050 | | 8894 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Estándar | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | - | 15A | 150pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4621 | 2.6250 | | 7759 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4621 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 V | 1700 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3308b | - | | 4413 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 25 µA @ 6.1 V | 9.1 V | 0.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv2n5794u | 153.9408 | | 4790 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/495 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-SMD, sin Plomo | 2N5794 | 600MW | 6-SMD | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40V | 600mA | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 900mv @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| R50460 | 158.8200 | | 6673 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Alcanzar sin afectado | 150-R50460 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 1000 A | 75 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6662us | - | | 6364 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N6662 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||||
| 1N4575AE3 | 4.2600 | | 2827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4575AE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ5925CE3/TR13 | 0.6450 | | 3088 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5925 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 8 V | 10 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n6489us/tr | 400.5300 | | 4875 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6489us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n6327 | 9.9000 | | 1827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6327 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4773 | 135.4500 | | 6151 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4773 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9.1 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4238 | 36.1627 | | 4333 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N4238 | 1 W | To-39 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 1 A | 100na | NPN | 600mv @ 100 mm, 1a | 30 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4371aur-1 | 6.0300 | | 6589 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4371 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios |
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