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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n3040b-1 | - |  | 3702 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n5530bur-1/tr | 13.4862 | | 2487 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5530BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N2262A | 44.1600 | | 3063 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2262A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 22A | - | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n759a-1/tr | 4.0831 | | 5494 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n759a-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jan1N3034B-1/TR | 8.3524 | | 5279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N3034B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||
| CD3050B | 4.0650 | | 3827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD3050B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| UT8160 | 398.3350 | | 2314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Semental | Estándar | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UT8160 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 v @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | |||||||||||||||||||
| Jans1n7050ur-1 | 162.9150 | | 1044 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3034dur-1/tr | 50.5932 | | 4033 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3034DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jantx1n6622us | 15.0300 | | 8689 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N6622 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 660 V | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 na @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 10pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||
 | 1N980A | 2.0700 | | 6614 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N980 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 185 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6313dus | 68.5350 | | 2861 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6313 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 25 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N5942 | 3.4050 | | 9920 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.25 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5942 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||
| Jan1n3334b | - | | 9962 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 42.6 V | 56 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n5616 | 5.0000 | | 60 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5616 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
| 1N3665 | 41.6850 | | 9438 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-208AA | Estándar | DO-21 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3665 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||||||||||
 | 2N222222AE3 | 4.5300 | | 4070 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2222 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||
 | 1N4736E3/TR13 | 0.8100 | | 9630 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4736 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||
| R20130 | 33.4500 | | 2242 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R20130 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5941A/TR13 | 2.2200 | | 3192 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5941 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N6673 | 185.8500 | | 3637 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 254-3, un 254AA | 1N6673 | Estándar | Un 254 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 15A | 1.35 V @ 10 A | 35 ns | 50 µA @ 320 V | - | |||||||||||||||||
| 1N4055 | 158.8200 | | 4713 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4055 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 900 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | |||||||||||||||||||
| MSASC100H60H/TR | 235.9500 | | 3642 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H60H/TR | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| S30610 | 49.0050 | | 6797 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | - | Alcanzar sin afectado | 150-S30610 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 200 a | 5 µs | 50 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 70a | - | ||||||||||||||||||
| 1N6858UR-1/TR | 13.8900 | | 3565 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6858UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 650 MV @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| 1N3767 | 59.5650 | | 4052 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3767 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3767MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 900 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||||||||||
 | Jan1N5521C-1/TR | 12.6749 | | 7061 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5521C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1.5 V | 4.3 V | 18 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N4740APE3/TR8 | 0.9450 | | 9145 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4740 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantx2n2604 | - | | 9672 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/354 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N2604 | 400 MW | TO-46 (TO-206AB) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 Ma | 10NA | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 500 µA, 5V | - | |||||||||||||||||
 | 1N3308RB | 49.3800 | | 1973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3308 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 25 µA @ 6.1 V | 9.1 V | 0.5 ohmios |
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