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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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![]() | Jan1N965CUR-1/TR | 8.0997 | ![]() | 3724 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N965CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5526dur-1 | 61.9050 | ![]() | 4480 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5526 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n3038dur-1 | 46.6950 | ![]() | 4377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3038 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4747APE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 7453 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4747 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4126-1/tr | 8.1662 | ![]() | 8875 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4126-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jankcar2n3810 | - | ![]() | 9345 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/336 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | 2N3810 | 350MW | Un 78-6 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankcar2n3810 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 30mera | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 250mv @ 100 µA, 1 mA | 150 @ 1 MMA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n5535d-1 | 21.9150 | ![]() | 2060 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5535 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n3027d-1 | 27.4500 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3027 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n6312 | - | ![]() | 8430 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 27 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5925BP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 9319 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5925 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 8 V | 10 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5680L | 21.9184 | ![]() | 8632 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4961 | - | ![]() | 3080 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5953C/TR | 14.0581 | ![]() | 1070 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1.25 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5953C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 V | 600 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5149 | 19.4400 | ![]() | 9750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 7 W | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5149 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | - | PNP | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4118cur-1 | 28.8000 | ![]() | 6259 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4118 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.5 V | 27 V | 150 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6005ur | 3.5850 | ![]() | 3659 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6005 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n1206ar | 34.7100 | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1206 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1206 brazos | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.35 V @ 38 A | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DN2540N5-G | 1.7600 | ![]() | 495 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | DN2540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 500 mA (TJ) | 0V | 25ohm @ 120mA, 0V | - | ± 20V | 300 pf @ 25 V | MODO DE AGOTAMENTO | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4492cus/tr | 38.8800 | ![]() | 7085 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Jantx1n4492cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 104 V | 130 V | 500 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4989cus | 40.8900 | ![]() | 7964 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4989cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6046 | 613.4700 | ![]() | 7466 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje | Un stud de 211 MB, TO-63-4 | 114 W | TO-63 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N6046 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 20 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4122ur | 3.7950 | ![]() | 8280 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4122 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.38 V | 36 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n5305-1/tr | 28.9950 | ![]() | 8621 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5305 | 500MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5305-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 2.2MA | 1.85V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jankca1n4565a | - | ![]() | 4802 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jankca1N4565A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4462dus | 331.1420 | ![]() | 9457 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANS1N4462DUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5947B/TR13 | 1.5600 | ![]() | 6370 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5947 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N720A | 1.9200 | ![]() | 9831 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N720 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 18 V | 17 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7706R | 468.9900 | ![]() | 5396 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7706R | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Ma @ 5.2 V | 6.8 V | 0.6 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n5665 | 26.9857 | ![]() | 2966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/455 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 2N5665 | 2.5 W | TO-66 (TO-213AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 5 A | 200NA | NPN | 1v @ 1a, 5a | 25 @ 1a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||||||
1N5949B | 3.0191 | ![]() | 6102 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5949B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios |
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