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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Hold (IH) (Max) | Voltaje - Estado Fuera | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Current - On State (IT (AV)) (Max) | Tipo scr | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan2n2323 | - |  | 9601 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/276 | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.30.0080 | 100 | 2 MA | 50 V | 800 MV | - | 200 µA | 220 Ma | Puerta sensible | |||||||||||||||||||||||
 | 2N3501E3 | 13.7123 | | 6726 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 500 MW | TO-39 (TO-205Ad) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||
| Jans1n6315dus/tr | 412.3050 | | 1474 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jans1n6315dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5947AE3/TR13 | 0.7350 | | 3357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5947 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1N4621-1 | 3.7500 | | 1867 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4621 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 V | 1700 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | Jans1n6391 | - | | 2377 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/553 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Schottky | DO-203AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 680 MV @ 50 A | 1.5 Ma @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 22.5a | 2000pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N534333AE3/TR8 | 2.6250 | | 4394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5343 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.4 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| 1N827A-1E3 | 7.6800 | | 8074 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N827 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1N827A-1E3MS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 5.89 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | 1N5731B | 1.8600 | | 3688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5731 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| 2N3621 | 547.4100 | | 8772 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 30 W | TO-61 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3621 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 5 A | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| 1N5280BUR-1/TR | 5.3400 | | 1835 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 182 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 144 V | 190 V | 2400 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jankca1n755d | - | | 6774 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n755d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| Jan1n6349d | 49.5300 | | 8614 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6349d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 84 V | 110 V | 500 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| Jantx2n5581 | 9.0174 | | 4866 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/423 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N5581 | 500 MW | TO-46 (TO-206AB) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||
 | Jan1n3826a-1 | 6.7650 | | 7039 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3826 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4993dus | 46.6950 | | 4645 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 228 V | 300 V | 950 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
| S31140 | 49.0050 | | 5750 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S31140 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N5553US | 9.9900 | | 9015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N5553 | Estándar | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
| Jans1n6661 | - | | 3794 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 225 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 225 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | |||||||||||||||||||||||
| Jan1n978d-1 | 6.4950 | | 1452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N978 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 39 V | 51 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jans1n4971cus | 343.6210 | | 4782 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4971cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N1204A | 34.7100 | | 5652 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1204 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1204ams | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.35 V @ 38 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||||||||
| 60CDQ035 | 84.1950 | | 1459 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | Schottky | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150-60CDQ035 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 680 MV @ 30 A | 1.2 Ma @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5252/TR | 2.7132 | | 9695 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5252/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
 | CDLL986 | 8.1150 | | 5879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL986 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 84 V | 110 V | 750 ohmios | |||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5712-1/tr | 8.4000 | | 2357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5712-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 750 MAPA | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||
| Jansm2n3500 | 41.5800 | | 1824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansm2n3500 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||
| 1N5942B | 3.4050 | | 2933 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5942 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
| 1N5195 | 8.1000 | | 3774 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5195 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 180 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||
| 1N3270 | 151.2750 | | 8582 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3270 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3270 MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 700 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - |
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