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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5340E3/TR8 | 2.6250 |  | 1778 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5340 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantx1n6912utk2 | - | | 3130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 2 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 45 V | 640 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 1000PF @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||
| Jantxv2n3902 | 64.7311 | | 7954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/371 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | 2N3902 | 5 W | TO-204AA (TO-3) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 3.5 A | 250 µA | NPN | 2.5V @ 700mA, 3.5a | 30 @ 1a, 5v | - | ||||||||||||||
 | Jans1n4957us | 115.5000 | | 4700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||
 | 1N5524DUR-1 | 16.2000 | | 7977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n5524dur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 3.5 V | 5.6 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||
 | SMBJ5941C/TR13 | 2.0850 | | 5821 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5941 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4733CPE3/TR12 | 1.1550 | | 4632 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4733 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantx1n5620 | 5.9200 | | 25 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5620 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
 | Jantxv2n3501l | - | | 4970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | |||||||||||||||
| 2N2481 | 6.0249 | | 2871 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N2481 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n3002rb | - | | 3968 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 56 V | 75 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N3171 | 216.8850 | | 7125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3171 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3171MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.25 V @ 240 A | 75 µA @ 700 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 240a | - | |||||||||||||||
| S3540 | 36.6600 | | 8152 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S35 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | S354 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 200 A | 5 µs | 25 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | |||||||||||||||
| Jan1N755DUR-1 | 14.2500 | | 6255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N755 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1 PMT4103C/TR7 | 1.2450 | | 6882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4103 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6.92 V | 9.1 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
| SMBJ5342AE3/TR13 | 0.8100 | | 2723 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5342 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 4.9 V | 6.8 V | 1 ohmios | ||||||||||||||||
| R306120 | 40.6350 | | 1640 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | R306 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | R306120 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | ||||||||||||||||
 | Jan1N3822C-1 | 17.3250 | | 6507 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3822 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1n4483dus/tr | 34.7550 | | 3158 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-ENERO1N4483DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 44.8 V | 56 V | 70 ohmios | |||||||||||||||||||
| BZV55C5V6 | 3.1400 | | 272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 7% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BZV55C5V6 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | ||||||||||||||||||
 | Jans2n3636 | - | | 2663 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 175 V | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 50 @ 50 mapa, 10v | - | ||||||||||||||||
 | Jantxv1n3890 | 366.6000 | | 1536 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 200 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | 115pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
| 1N5830 | 45.6750 | | 3534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N5830 | Schottky | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5830MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 460 MV @ 25 A | 3 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 25A | 1650pf @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||
 | Jantxv2n2605 | 23.3814 | | 6762 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/354 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N2605 | 400 MW | A-46-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 Ma | 10NA | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||
 | CD5241B | 1.4497 | | 3353 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5241B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||||||||
| R4320 | 102.2400 | | 1953 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Alcanzar sin afectado | 150-R4320 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | |||||||||||||||||
| Jankccm2n3501 | - | | 4240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankccm2n3501 | 100 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||
 | 2N5154L | 14.4837 | | 9232 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N5154 | 1 W | TO-5AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 500mA, 5A | 70 @ 2.5a, 5V | - | |||||||||||||||
| Jantx2n2604 | - | | 9672 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/354 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AB, TO-46-3 METAL CAN | 2N2604 | 400 MW | TO-46 (TO-206AB) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 30 Ma | 10NA | PNP | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 500 µA, 5V | - | |||||||||||||||
| 2N3746 | 273.7050 | | 4185 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Montaje | A 11-4, semental | 30 W | To-111 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N3746 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 5 A | - | PNP | - | - | - |
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