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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
MSC090SMA070B Microchip Technology MSC090SMA070B 7.6000
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 MSC090 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 691-MSC090SMA070B EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 700 V - - - - - - -
MSC080SMA120J Microchip Technology MSC080SMA120J 28.8000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MSC080 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) SOT-227 (ISOTOP®) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 691-MSC080SMA120J EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 1200 V 37a (TC) - - - - - -
MSC025SMA120S Microchip Technology MSC025SMA120S 41.0600
RFQ
 ECAD 634 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA MSC025 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) D3pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 691-MSC025SMA120S EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 89A (TC) - - - - - -
MSC025SMA120J Microchip Technology MSC025SMA120J 57.1800
RFQ
 ECAD 9319 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita MSC025 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) SOT-227 (ISOTOP®) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 691-MSC025SMA120J EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 1200 V 77a (TC) 20V 31mohm @ 40a, 20V 2.8V @ 1MA 232 NC @ 20 V +25V, -10V 3020 pf @ 1000 V - 278W (TC)
MSC050SDA070BCT Microchip Technology MSC050SDA070BCT 21.2700
RFQ
 ECAD 2745 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MSC050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSC050SDA070BCT EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 700 V 1.8 V @ 50 A 0 ns 200 µA @ 700 V -55 ° C ~ 175 ° C 88a 2034pf @ 1V, 1 MHz
APT75DQ120SG Microchip Technology APT75DQ120SG 4.4700
RFQ
 ECAD 6460 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA APT75DQ120 Estándar D3pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-ACT75DQ120SG EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 3.3 V @ 75 A 325 ns 100 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 75a -
MSC750SMA170B4 Microchip Technology MSC750SMA170B4 5.6100
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSC750SMA170B4 EAR99 8541.29.0095 90 N-canal 1700 V 7a (TC) 20V 940mohm @ 2.5a, 20V 3.25V @ 100 µA (tipos) 11 NC @ 20 V +23V, -10V 184 pf @ 1360 V - 68W (TC)
APT40GF120JRD Microchip Technology Apt40gf120jrd 42.4400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Apt40 390 W Estándar SOT-227 (ISOTOP®) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-APT40GF120JRD EAR99 8541.29.0095 1 Soltero - 1200 V 60 A 3.4V @ 15V, 50A 500 µA No 3.45 NF @ 25 V
APT60DQ60SG Microchip Technology Apt60dq60sg 3.5100
RFQ
 ECAD 9907 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Apt60dq60 Estándar D3pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-Act60DQ60SG EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 2.4 V @ 60 A 35 ns 25 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 60A -
APT20GF120BRDG Microchip Technology APT20GF120BRDG 7.1600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt20gf120 Estándar 200 W TO-247-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-ACT20GF120BRDG EAR99 8541.29.0095 1 792V, 20a, 10ohm, 15V 85 ns Escrutinio 1200 V 32 A 64 A 3.2V @ 15V, 15a - 140 NC 17ns/93ns
APT40M70LVRG Microchip Technology Apt40m70lvrg 22.3000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Tecnología de Microchip Power Mos V® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA Apt40 Mosfet (Óxido de metal) TO-264 (L) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-ACT40M70LVRG EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 400 V 57a (TC) 10V 70mohm @ 28.5a, 10V 4V @ 2.5MA 495 NC @ 10 V ± 30V 8890 pf @ 25 V - 520W (TC)
APT75GN60BDQ2G Microchip Technology Apt75gn60bdq2g 10.1200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Apt75gn60 Estándar 536 W TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-ATPT75GN60BDQ2G EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 1ohm, 15V 25 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 155 A 225 A 1.85V @ 15V, 75a 2.5MJ (Encendido), 2.14mj (apaguado) 485 NC 47ns/385ns
MSC050SDA120BCT Microchip Technology MSC050SDA120BCT 32.8100
RFQ
 ECAD 196 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MSC050 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSC050SDA120BCT EAR99 8541.10.0080 1 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1200 V 1.8 V @ 50 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 109A 246pf @ 400V, 1MHz
MSC750SMA170B Microchip Technology MSC750SMA170B 5.4400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 MSC750 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSC750SMA170B EAR99 8541.29.0095 90 N-canal 1700 V 7a (TC) 20V 940mohm @ 2.5a, 20V 3.25V @ 100 µA (tipos) 11 NC @ 20 V +23V, -10V 184 pf @ 1360 V - 68W (TC)
MSC035SMA070B4 Microchip Technology MSC035SMA070B4 15.5100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 MSC035 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSC035SMA070B4 EAR99 8541.29.0095 60 N-canal 700 V 77a (TC) 20V 44mohm @ 30a, 20V 2.7V @ 2MA (typ) 99 NC @ 20 V +23V, -10V 2010 PF @ 700 V - 283W (TC)
1N4115/TR Microchip Technology 1N4115/TR 2.3408
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N4115/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 16.72 V 22 V 150 ohmios
JAN1N4125UR-1/TR Microchip Technology Jan1N4125ur-1/TR 7.8736
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1n4125ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 35.8 V 47 V 250 ohmios
JAN1N4124D-1/TR Microchip Technology Jan1N4124D-1/TR 11.7838
RFQ
 ECAD 1915 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4124D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 32.7 V 43 V 250 ohmios
JANS1N4620UR-1/TR Microchip Technology Jans1n4620ur-1/tr 65.1200
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n4620ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 7.5 µA @ 1.5 V 3.3 V 1.65 ohmios
JANS1N4619-1/TR Microchip Technology Jans1n4619-1/tr 55.5200
RFQ
 ECAD 4317 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4619-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 400 na @ 1 V 3 V 1.6 ohmios
JAN1N978C-1/TR Microchip Technology Jan1N978C-1/TR 4.7481
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N978C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 39 V 51 V 125 ohmios
JAN1N5417/TR Microchip Technology Jan1n5417/tr 6.7800
RFQ
 ECAD 9835 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/411 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero B, axial Estándar B, axial descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero1N5417/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.5 v @ 9 a 150 ns 1 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANS1N5313-1/TR Microchip Technology Jans1n5313-1/tr 100.0200
RFQ
 ECAD 4008 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500MW Do-7 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANS1N5313-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANTXV1N3041D-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3041d-1/tr 32.2392
RFQ
 ECAD 7988 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1 W Do-41 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N3041D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 56 V 75 V 175 ohmios
1N977B/TR Microchip Technology 1N977B/TR 2.0083
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-1N977B/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 105 ohmios
JANTX1N6324US/TR Microchip Technology Jantx1n6324us/tr 16.5718
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N6324US/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 1 µA @ 8 V 10 V 6 ohmios
JANTXV1N5542B-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5542b-1/tr 8.2327
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5542B-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 19.8 V 22 V 100 ohmios
CDLL5536A/TR Microchip Technology CDLL5536A/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 3876 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 500 MW DO-213AB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5536A/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 13 V 16 V 100 ohmios
JAN1N4619C-1/TR Microchip Technology Jan1N4619C-1/TR 8.6317
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4619C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 400 na @ 1 V 3 V 1600 ohmios
JANKCA1N4110 Microchip Technology Jankca1n4110 -
RFQ
 ECAD 6748 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500 MW DO-7 (DO-204AA) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANKCA1N4110 EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 12.15 V 16 V 100 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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