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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id VGS (Max) Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) Corriente del Regulador (Max) Voltaje - Limitante (Max)
1N1124R Microchip Technology 1N1124R 38.3850
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Polaridad Inversa Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N1124R EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
CD5925B Microchip Technology CD5925B 3.8437
RFQ
 ECAD 4121 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD5925B EAR99 8541.10.0050 1
JAN1N4099UR-1/TR Microchip Technology Jan1N4099ur-1/TR 7.8736
RFQ
 ECAD 5308 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N4099UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 V 200 ohmios
MIC94053YC6-TR Microchip Technology MIC94053YC6-TR 0.7800
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MIC94053 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 6 V 2a (TA) 1.8V, 4.5V 84mohm @ 100 mA, 4.5V 1.2V @ 250 µA 6V - 270MW (TA)
SPD1150 Microchip Technology SPD1150 -
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-SPD1150 1
JANTX1N6677-1/TR Microchip Technology Jantx1n6677-1/tr -
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/610 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Schottky DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N6677-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 500 MV @ 200 Ma 5 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA -
JAN2N3792 Microchip Technology Jan2n3792 43.1585
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/379 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 3 2N3792 5 W TO-3 (TO-204AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 80 V 10 A 5 mm PNP 2.5V @ 2a, 10a 30 @ 3a, 2v -
1N5269BUR-1 Microchip Technology 1N5269Bur-1 3.5850
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 1N5269 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 68 V 87 V 370 ohmios
JANS1N4974/TR Microchip Technology Jans1n4974/tr 74.9802
RFQ
 ECAD 8739 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero B, axial 5 W B, axial descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jans1n4974/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 35.8 V 47 V 25 ohmios
JANHCA1N5283 Microchip Technology Janhca1n5283 -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N5283 EAR99 8541.10.0070 1 100V 242 µA 1V
1N4738AP/TR8 Microchip Technology 1N4738AP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 4805 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4738 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 V 4.5 ohmios
JANTXV1N4624D-1 Microchip Technology Jantxv1n4624d-1 18.4650
RFQ
 ECAD 5534 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N4624 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3 V 4.7 V 1550 ohmios
JANTX1N990BUR-1 Microchip Technology Jantx1n990bur-1 -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 Ma 500 na @ 122 V 160 V 1700 ohmios
JANS1N4116UR-1/TR Microchip Technology Jans1n4116ur-1/tr 45.8600
RFQ
 ECAD 1053 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n4116ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 18.3 V 24 V 150 ohmios
JANHCA1N5313 Microchip Technology Janhca1n5313 -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 500MW Do-7 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N5313 EAR99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
JANTX1N6326US Microchip Technology Jantx1n6326us 16.8900
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 1 µA @ 9 V 12 V 7 ohmios
JANSR2N2907A Microchip Technology Jansr2n2907a 99.0906
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/291 Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal 2N2907 500 MW TO-18 (TO-206AA) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 60 V 600 mA 50NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
2N6690 Microchip Technology 2N6690 755.0400
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 200 ° C Montaje TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD 3 W TO-61 - Alcanzar sin afectado 150-2N6690 EAR99 8541.29.0095 1 400 V 15 A 100 µA NPN 5V @ 5a, 15a 15 @ 1a, 3v -
JANTX1N4619DUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4619dur-1/tr 34.3539
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4619DUR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 400 na @ 1 V 3 V 1600 ohmios
ARF469AG Microchip Technology Arf469ag 70.8500
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo 500 V A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA ARF469 45MHz Mosfet Un 264 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1 N-canal 30A 250 µA 350W 16dB - 150 V
JANTXV1N4958 Microchip Technology Jantxv1n4958 -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 5 W descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 25 µA @ 7.6 V 10 V 2 ohmios
APT60S20B2CTG Microchip Technology Apt60s20b2ctg 7.9700
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Apt60 Schottky T-Max ™ [B2] descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 75a 900 MV @ 60 A 55 ns 1 ma @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
JANTXV1N4938-1 Microchip Technology Jantxv1n4938-1 -
RFQ
 ECAD 6723 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/169 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Estándar DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 175 V 1 V @ 30 Ma 50 ns 100 Pa @ 175 V -65 ° C ~ 175 ° C - -
LSM140 MELF Microchip Technology LSM140 Melf -
RFQ
 ECAD 1293 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje en superficie Do-213ab, melf LSM140 Schottky DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 580 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A -
JANTXV1N5288UR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5288ur-1/tr 40.4100
RFQ
 ECAD 1143 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/463 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N5288 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5288UR-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 100V 429 µA 1.05V
1N3909 Microchip Technology 1N3909 48.5400
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N3909 Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.4 V @ 50 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C 50A -
JAN1N6489D Microchip Technology Jan1n6489d -
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 4 µA @ 1 V 4.7 V 8 ohmios
1N5293-1 Microchip Technology 1N5293-1 18.6000
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N5293 500MW Do-7 descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1 100V 748 µA 1.15V
CDLL5306 Microchip Technology CDLL5306 25.0950
RFQ
 ECAD 1149 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo -65 ° C ~ 175 ° C - Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) CDLL53 500MW DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 100V 2.42MA 1.95V
UZ7816 Microchip Technology UZ7816 468.9900
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje Semental 10 W Axial - Alcanzar sin afectado 150-UZ7816 EAR99 8541.10.0050 1 20 µA @ 11.5 V 16 V 2.5 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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