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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Figura de ruido | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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![]() | Jan2n3792 | 43.1585 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/379 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 3 | 2N3792 | 5 W | TO-3 (TO-204AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 10 A | 5 mm | PNP | 2.5V @ 2a, 10a | 30 @ 3a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5269Bur-1 | 3.5850 | ![]() | 2978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N5269 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 68 V | 87 V | 370 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4974/tr | 74.9802 | ![]() | 8739 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4974/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 35.8 V | 47 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n5283 | - | ![]() | 8225 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5283 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242 µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4738AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 4805 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4738 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4624d-1 | 18.4650 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4624 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n990bur-1 | - | ![]() | 4446 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 122 V | 160 V | 1700 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4116ur-1/tr | 45.8600 | ![]() | 1053 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4116ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Janhca1n5313 | - | ![]() | 1076 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N5313 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73MA | 2.75V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n6326us | 16.8900 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jansr2n2907a | 99.0906 | ![]() | 8793 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/291 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2907 | 500 MW | TO-18 (TO-206AA) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 600 mA | 50NA | PNP | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6690 | 755.0400 | ![]() | 1625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje | TO11MA, TO-210AC, TO-61-4, STARD | 3 W | TO-61 | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N6690 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 400 V | 15 A | 100 µA | NPN | 5V @ 5a, 15a | 15 @ 1a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4619dur-1/tr | 34.3539 | ![]() | 1118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4619DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Arf469ag | 70.8500 | ![]() | 6963 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | 500 V | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | ARF469 | 45MHz | Mosfet | Un 264 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 30A | 250 µA | 350W | 16dB | - | 150 V | |||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4958 | - | ![]() | 6715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Apt60s20b2ctg | 7.9700 | ![]() | 2656 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt60 | Schottky | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 75a | 900 MV @ 60 A | 55 ns | 1 ma @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4938-1 | - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/169 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 175 V | 1 V @ 30 Ma | 50 ns | 100 Pa @ 175 V | -65 ° C ~ 175 ° C | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
LSM140 Melf | - | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | LSM140 | Schottky | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 580 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5288ur-1/tr | 40.4100 | ![]() | 1143 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/463 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N5288 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N5288UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 429 µA | 1.05V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3909 | 48.5400 | ![]() | 8606 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3909 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.4 V @ 50 A | 200 ns | 15 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 50A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6489d | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 4 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5293-1 | 18.6000 | ![]() | 2339 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | - | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N5293 | 500MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 748 µA | 1.15V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5306 | 25.0950 | ![]() | 1149 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | CDLL53 | 500MW | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.42MA | 1.95V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UZ7816 | 468.9900 | ![]() | 3848 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7816 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 µA @ 11.5 V | 16 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n2824b | - | ![]() | 2183 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2824 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 3.2 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N938-1/TR | 9.9150 | ![]() | 9789 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N938-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 V | 20 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jans1n4996cus | - | ![]() | 2896 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 V | 22 V | 1800 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2997RB | 40.3200 | ![]() | 2226 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2997 | 10 W | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 38.8 V | 51 V | 15 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n4956us | 9.1200 | ![]() | 5403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4956 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL4927/TR | 98.3100 | ![]() | 4842 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4927/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 75 ohmios |
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