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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n5617us | 8.5000 |  | 287 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N5617 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.6 v @ 3 a | 150 ns | 500 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 35pf @ 12V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4969 | 5.8950 | | 9855 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4969 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 22.8 V | 30 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3155-1/tr | - | | 2875 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3155-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N988B/TR | 4.9476 | | 9315 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N988B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 98.8 V | 130 V | 1100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S2060 | 33.4500 | | 6844 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | S2060 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n7037ccu1/tr | 241.9800 | | 4354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N7037 | Schottky | U1 (SMD-1) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n7037ccu1/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 35a | 1.22 v @ 35 a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n970b-1 | 2.2500 | | 7317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N970 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3021dur-1/tr | 50.5932 | | 7376 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n3021dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n4127ur-1/tr | 8.5652 | | 6258 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4127UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 42.6 V | 56 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N6309 | 8.4150 | | 7897 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6309 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Aptgt300a60d3g | 217.9400 | | 5607 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo D-3 | Aptgt300 | 940 W | Estándar | D3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Medio puente | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 400 A | 1.9V @ 15V, 300A | 500 µA | No | 18.5 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4464cus/tr | 36.1500 | | 3318 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Jantx1n4464cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 5.46 V | 9.1 V | 4 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n4579aur-1/tr | 121.9650 | | 9299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4579aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n5541dur-1 | 61.9050 | | 8452 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5541 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19.8 V | 22 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CD4567 | 7.3650 | | 4913 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4567 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UZ8830 | 20.5751 | | 5436 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 1 W | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-UZ8830 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1N4616C-1 | 9.5850 | | 6103 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4616 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n944bur-1/tr | - | | 9530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n944bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GCX1202-23-0 | 3.3150 | | 5398 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | GCX1202 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-GCX1202-23-0 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1.2pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 30 V | 3.4 | C0/C30 | 3200 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4679UR-1/TR | 5.2800 | | 6333 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4679UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 180 | 1.5 V @ 100 Ma | 5 µA @ 1 V | 2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n752a-1 | 2.3800 | | 534 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N752 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n972dur-1 | 24.2250 | | 8299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N972 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Smaj4760ae3/tr13 | 0.6450 | | 7241 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4760 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N3019P | 22.6500 | | 4050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 800 MW | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-2n3019p | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 10NA | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jan1n983dur-1 | 14.2500 | | 8711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N983 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 330 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N3511D-1/TR | 6.4050 | | 5956 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | 1N3511 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3511d-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 148 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n3030cur-1 | 37.3500 | | 6152 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3030 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3037b-1 | 11.8800 | | 4693 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3037 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt48m80b2 | 21.5300 | | 7905 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power MOS 8 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Apt48m80 | Mosfet (Óxido de metal) | T-Max ™ [B2] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 800 V | 49a (TC) | 10V | 190mohm @ 24a, 10v | 5V @ 2.5MA | 305 NC @ 10 V | ± 30V | 9330 pf @ 25 V | - | 1135W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5348CE3/TR13 | 1.0050 | | 6882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5348 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 8 V | 11 V | 2.5 ohmios |
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