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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
1N4695UR-1/TR Microchip Technology 1N4695UR-1/TR 5.2400
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - EAR99 8541.10.0050 186 1.5 V @ 100 Ma 1 µA @ 6.6 V 8.7 V
JANS1N4471 Microchip Technology Jans1n4471 83.8650
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1.5 W Do-41 - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 50 na @ 14.4 V 18 V 11 ohmios
JANTX1N6321D Microchip Technology Jantx1n6321d 36.5550
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n6321d EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 2 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
CD4117 Microchip Technology CD4117 1.3699
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 500 MW Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD4117 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 10 na @ 19 V 25 V 150 ohmios
CDLL5523A/TR Microchip Technology CDLL5523A/TR 5.9052
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 500 MW DO-213AB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5523A/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 26 ohmios
JANHCA1N746D Microchip Technology Janhca1n746d -
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-JANHCA1N746D EAR99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.3 V 28 ohmios
JANTX1N753AUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n753aur-1/tr 3.9102
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n753aur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 V 3 ohmios
1N2491 Microchip Technology 1N2491 44.1600
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2491 EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 50 V -65 ° C ~ 200 ° C 6A -
JANTX1N3157-1/TR Microchip Technology Jantx1n3157-1/tr -
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/158 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N3157-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 5.5 V 8.8 V 15 ohmios
1N486B Microchip Technology 1N486B 4.8300
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N486 Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N486BMS EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 250 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JANTXV1N4969US/TR Microchip Technology Jantxv1n4969us/tr 14.2975
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4969us/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 22.8 V 30 V 8 ohmios
JAN2N2484UA/TR Microchip Technology Jan2N2484UA/TR 16.3191
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/376 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2484 360 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero2N2484UA/TR EAR99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA NPN 300mV @ 100 µA, 1 mA 225 @ 10mA, 5V -
CDS976B-1 Microchip Technology CDS976B-1 -
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-cds976b-1 EAR99 8541.10.0050 50
MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology MSCSM120HM50CT3AG 181.3700
RFQ
 ECAD 4076 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo MSCSM120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 245W (TC) SP3F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSCSM120HM50CT3AG EAR99 8541.29.0095 1 4 Canal N 1200V (1.2kv) 55A (TC) 50mohm @ 40a, 20V 2.7V @ 1MA 137nc @ 20V 1990pf @ 1000V -
1N645-1E3 Microchip Technology 1N645-1E3 1.5150
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N645 Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1N645-1E3MS EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 225 V 1 V @ 400 Ma 50 na @ 225 V -65 ° C ~ 175 ° C 400mA -
JANTXV1N3025B-1 Microchip Technology Jantxv1n3025b-1 11.8800
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3025 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
1N4949SM/TR Microchip Technology 1N4949SM/TR 13.3350
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-1N4949SM/TR 100
JANS1N6316CUS/TR Microchip Technology Jans1n6316cus/tr 285.2250
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6316cus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 1.5 V 4.7 V 17 ohmios
JANTXV1N5528D-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5528d-1/tr 26.0414
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5528D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7.5 V 8.2 V 40 ohmios
JANS1N6490DUS Microchip Technology Jans1n6490dus -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
1N1205A Microchip Technology 1N1205A 34.7100
RFQ
 ECAD 9087 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1205 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1205ams EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 500 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
JANTX1N3037CUR-1 Microchip Technology Jantx1n3037cur-1 37.3500
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3037 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
JANTX1N6330DUS Microchip Technology Jantx1n6330dus 42.0900
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, B 1N6330 500 MW B, SQ-Melf descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 14 V 18 V 14 ohmios
LSM140GE3/TR13 Microchip Technology LSM140GE3/TR13 0.6900
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB LSM140 Schottky DO-215AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 580 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
JANTX1N4126UR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4126ur-1/tr 8.5652
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4126UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 38.8 V 51 V 300 ohmios
JANTX1N3004B Microchip Technology Jantx1n3004b -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 69.2 V 91 V 35 ohmios
JANS1N4103CUR-1 Microchip Technology Jans1n4103cur-1 97.9650
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7 V 9.1 V 200 ohmios
1N4745AP/TR12 Microchip Technology 1N4745AP/TR12 1.8900
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4745 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
JANTX1N4491US Microchip Technology Jantx1n4491us 14.3550
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 96 V 120 V 400 ohmios
JANTXV1N755C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n755c-1/tr 11.9700
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N755C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 5 V 7.5 V 6 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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