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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Apt2x100d20j | 29.2200 |  | 9913 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt2x100 | Estándar | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 100A | 1.1 V @ 100 A | 60 ns | 500 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||||||
 | Jantxv2n3467 | - | | 6227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/348 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 1.2v @ 100 mA, 1a | 40 @ 500mA, 1V | - | |||||||||||||||||
 | 1N648-1 | - | | 8721 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||||||||||
 | Jan1n4986us/tr | 13.4100 | | 8978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4986US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | |||||||||||||||||||||
| Mvr2n2222aubc | - | | 3970 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | UBC | - | Alcanzar sin afectado | 150-MVR2N2222AUBC | 100 | 50 V | 800 Ma | 50NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| Jantx1n2977rb | - | | 8568 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5946AE3/TR7 | 0.7350 | | 7433 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5946 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1 PMT4118CE3/TR13 | 0.4950 | | 7215 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4118 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.45 V | 27 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||
 | 1N5535CUR-1/TR | 13.1400 | | 3271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5938A/TR13 | 1.5600 | | 2425 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5938 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantx1n759d-1/tr | 6.8362 | | 1335 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N759D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jantxv1n4627ur-1/tr | 18.0481 | | 9186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4627UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5 V | 6.2 V | 1200 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1n4148ub2r/TR | 23.1600 | | 1502 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/116 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | Polaridad Inversa Estándar | UB2 | - | 150-Enero1n4148ub2r/TR | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||
 | 1N4109D | 7.5750 | | 6345 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4109D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3036dur-1/tr | 41.5359 | | 8159 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n3036dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jan1n964b-1 | 1.9050 | | 3536 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N964 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | |||||||||||||||||||
| Jans1n4974d | 374.1920 | | 8442 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4974d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5602 | 43.0350 | | 9415 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 20 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5602 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 2 A | - | PNP | 850MV @ 200 µA, 1 Ma | - | - | ||||||||||||||||||
| 1N4103-1/TR | 2.3408 | | 4563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4103-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||
 | Jansr2n2219al | 114.6304 | | 3662 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/251 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 2N2219 | 800 MW | A-5 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 Ma | 10NA | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 75 @ 1 MMA, 10V | - | ||||||||||||||||||
| CDLL4918 | 121.1400 | | 4815 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4918 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 600 ohmios | ||||||||||||||||||||
 | Jan1n6488cus/tr | - | | 2734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | 150-Enero1n6488cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||
 | Jansl2n3500l | 41.5800 | | 5711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/366 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | TO-5AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jansl2N3500L | 1 | 150 V | 300 mA | 10 µA (ICBO) | NPN | 400mv @ 15 mA, 150 mA | 40 @ 150mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||
| DSB0.2A30/TR | - | | 7805 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-DSB0.2A30/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 228 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 650 MV @ 500 Ma | 10 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 60pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
| 1n6941utk3as/tr | 267.4800 | | 7190 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 3 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6941UTK3AS/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 50 A | 5 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150a | 7500pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||||||||
| 2N4239 | 36.5085 | | 5232 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 100 mm, 1a | 30 @ 250 Ma, 1V | - | |||||||||||||||||||
| Jantx1n5533330dur-1/tr | 42.4536 | | 5324 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n5530dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | |||||||||||||||||||
| 30FQ035 | 64.5600 | | 2537 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Schottky | DO-4 (DO-203AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-30FQ035 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 630 MV @ 30 A | 1.5 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | - | |||||||||||||||||||
| Jankcam2n3637 | - | | 5118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/357 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankcam2n3637 | 100 | 175 V | 1 A | 10 µA | PNP | 600mv @ 5 mm, 50 Ma | 100 @ 50 mm, 10v | - | ||||||||||||||||||||
| MSASC25H60KV/TR | - | | 2111 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC25H60KV/TR | 100 |
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