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Productos de semiconductoros discretos (41164)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1 PMT4123/TR7 | 0.9600 |  | 2410 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4123 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.65 V | 39 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4738CPE3/TR8 | 1.1550 | | 9574 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4738 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n974c-1/tr | 6.5436 | | 6485 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N974C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 27 V | 36 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5370AE3/TR8 | 2.6250 | | 7417 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5370 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 40.3 V | 56 V | 35 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | CD4148 | 1.0500 | | 800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 75 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Janhca1n4617 | 12.2892 | | 3831 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4617 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.4 V | 1400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5606 | 43.0350 | | 8184 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 25 W | TO-66 (TO-213AA) | - | Alcanzar sin afectado | 150-2N5606 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 5 A | - | NPN | 1.5V @ 500 µA, 2.5MA | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55C8V2 | 2.9400 | | 7170 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | BZV55C8V2 | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 700 na @ 5 V | 8.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||
| UFS520G/TR13 | 4.1400 | | 7082 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | UFS520 | Estándar | DO-215AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 5 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n3157-1/tr | - | | 9391 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N3157-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 5.5 V | 8.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5523B | 6.6450 | | 8895 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5523 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.1 V | 26 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N6353 | 14.9700 | | 8550 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 1N6353 | 500 MW | B, axial | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 122 V | 160 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Apt60m75jvr | 82.3510 | | 3362 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Power Mos V® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt60m75 | Mosfet (Óxido de metal) | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 62a (TC) | 10V | 75mohm @ 500 mA, 10V | 4V @ 5MA | 1050 NC @ 10 V | ± 30V | 19800 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Jantx2n4261ub | - | | 7069 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/511 | Una granela | Descontinuado en sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 200 MW | UB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 30 Ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 350mv @ 1 mapa, 10 ma | 30 @ 10mA, 1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5947AE3/TR13 | 0.7350 | | 3357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5947 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
 | Jans1n4957d | 519.7200 | | 5094 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4957d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5280B | 3.1350 | | 9355 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5280 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 137 V | 190 V | 2400 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4622/TR | 2.8050 | | 7451 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4622/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 336 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n975d-1/tr | 7.4613 | | 5711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N975D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ5936C/TR13 | 2.0850 | | 8846 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5936 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n4575aur-1 | 5.9550 | | 6783 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4575 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL4620D/TR | 8.8800 | | 1000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4620D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 107 | 1.1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4486US/TR | 10.2410 | | 1359 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4486U/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 60 V | 75 V | 130 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5935CPE3/TR12 | 1.2000 | | 2346 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5935 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 28 V | 23 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4577aur-1 | 13.8900 | | 9799 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4577 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5834 | 57.4200 | | 5340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N5834 | Schottky | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5834MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 590 MV @ 40 A | 20 Ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 40A | - | ||||||||||||||||||||||||||
| Jans1n462222dur-1/tr | 449.6820 | | 4378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4622dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1.65 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5224D | 8.4150 | | 5272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5224D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.8 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||
| MSASC100W60HX/TR | - | | 1364 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100W60HX/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1 PMT5925A/TR13 | 2.2200 | | 7831 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5925 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 8 V | 10 V | 4.5 ohmios |
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