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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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Jantx2n3507a | 14.1113 | ![]() | 9847 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/349 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N3507 | 1 W | TO-39 (TO-205Ad) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 3 A | - | NPN | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 30 @ 1.5a, 2v | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6351 | 30.7895 | ![]() | 1212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AC, TO-33-4 METAL CAN | 1 W | To-33 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 V | 5 A | - | NPN - Darlington | 2.5V @ 10mA, 5A | 1000 @ 5a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6306r | - | ![]() | 1050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5420 | 7.9800 | ![]() | 356 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5420 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2266-1N5420 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 v @ 9 a | 400 ns | 1 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||||||||||
Jantxv1n4150-1 | 2.8350 | ![]() | 2698 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/231 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4150 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||||||||||||
UZ8833 | 20.9209 | ![]() | 9540 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 1 W | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-UZ8833 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 500 na @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL3154 | 6.6450 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 4.7% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL3154 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4568a-1/tr | 76.0200 | ![]() | 5247 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4568a-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Aptm50tam65fpg | 279.4700 | ![]() | 7185 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Sp6 | Aptm50 | Mosfet (Óxido de metal) | 390W | SP6-P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 Canal N (Puente 3 Formas) | 500V | 51a | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5MA | 140nc @ 10V | 7000PF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
Jantx1n964b-1/tr | 2.1280 | ![]() | 9372 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N964B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4758UR-1/TR | 3.6200 | ![]() | 5189 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n3764u4 | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/396 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 500 MW | U4 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 V | 1.5 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 900mv @ 100 mm, 1a | 30 @ 1a, 1.5V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans2n3868 | 148.2902 | ![]() | 4413 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/350 | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AA, TO-5-3 METAL CAN | 1 W | A-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 3 MA | 100 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 250 Ma, 2.5a | 30 @ 1.5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751APE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 7336 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4751 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3016dur-1 | 57.6450 | ![]() | 9024 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3016 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4749CPE3/TR8 | 1.1550 | ![]() | 5018 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4749 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6763r | - | ![]() | 5579 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Estándar | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.05 v @ 12 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | - | 12A | 300pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5351B/TR13 | 2.2500 | ![]() | 7165 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5351 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.1 V | 14 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jan1n4487cus | 27.6750 | ![]() | 8573 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4487 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 65.6 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantx1n4973cus/tr | 24.7500 | ![]() | 7725 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4973cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 32.7 V | 43 V | 20 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jans2n3439u4 | - | ![]() | 3596 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 2N3439 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4490us | 14.3550 | ![]() | 6186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4490 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 88 V | 110 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
Jantx1n5536b-1 | 6.8550 | ![]() | 7859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5536 | 500 MW | DO-204AH (Vidrio DO-35) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CD4127 | 1.3699 | ![]() | 5599 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4127 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 42.6 V | 56 V | 300 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBG5377C/TR13 | 2.8650 | ![]() | 3997 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5377 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 65.5 V | 91 V | 75 ohmios | ||||||||||||||||||||||||
Jan1n4963cus | 25.3200 | ![]() | 1417 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4963 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv1n3344rb | - | ![]() | 2994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 99.8 V | 130 V | 50 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
Jantx1n5543c-1/tr | 19.4313 | ![]() | 3078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5543C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R2080 | 33.4500 | ![]() | 3472 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | R20 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | R2080 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4616ur | 3.3000 | ![]() | 8304 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4616 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios |
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