SIC
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Productos de semiconductoros discretos (41164)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
2N6275 Microchip Technology 2N6275 92.0892
RFQ
 ECAD 4796 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo 2N6275 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
JANTX1N3157-1/TR Microchip Technology Jantx1n3157-1/tr -
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/158 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW Do-35 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N3157-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 5.5 V 8.8 V 15 ohmios
1N486B Microchip Technology 1N486B 4.8300
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N486 Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N486BMS EAR99 8541.10.0070 1 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1 V @ 100 Ma 1 µA @ 250 V -65 ° C ~ 175 ° C 200 MMA -
JANS1N6636US Microchip Technology Jans1n6636us -
RFQ
 ECAD 5827 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero E, axial 5 W E, axial descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 20 µA @ 1 V 4.7 V 2 ohmios
JANTXV1N4969US/TR Microchip Technology Jantxv1n4969us/tr 14.2975
RFQ
 ECAD 6187 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 5 W D-5B - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n4969us/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 22.8 V 30 V 8 ohmios
JAN2N2484UA/TR Microchip Technology Jan2N2484UA/TR 16.3191
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/376 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, sin Plomo 2N2484 360 MW Ua - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Enero2N2484UA/TR EAR99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA NPN 300mV @ 100 µA, 1 mA 225 @ 10mA, 5V -
TN0104N3-G-P014 Microchip Technology TN0104N3-G-P014 0.9800
RFQ
 ECAD 8233 0.00000000 Tecnología de Microchip - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0104 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 450mA (TA) 3V, 10V 1.8ohm @ 1a, 10v 1.6V @ 500 µA ± 20V 70 pf @ 20 V - 1W (TC)
CDS976B-1 Microchip Technology CDS976B-1 -
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-cds976b-1 EAR99 8541.10.0050 50
MSCSM120HM50CT3AG Microchip Technology MSCSM120HM50CT3AG 181.3700
RFQ
 ECAD 4076 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo MSCSM120 CARBURO DE SILICIO (SIC) 245W (TC) SP3F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 150-MSCSM120HM50CT3AG EAR99 8541.29.0095 1 4 Canal N 1200V (1.2kv) 55A (TC) 50mohm @ 40a, 20V 2.7V @ 1MA 137nc @ 20V 1990pf @ 1000V -
1N645-1E3 Microchip Technology 1N645-1E3 1.5150
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 Tecnología de Microchip - Bolsa Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N645 Estándar DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1N645-1E3MS EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 225 V 1 V @ 400 Ma 50 na @ 225 V -65 ° C ~ 175 ° C 400mA -
JANTXV1N3025B-1 Microchip Technology Jantxv1n3025b-1 11.8800
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3025 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
1N4949SM/TR Microchip Technology 1N4949SM/TR 13.3350
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-1N4949SM/TR 100
JANS1N6316CUS/TR Microchip Technology Jans1n6316cus/tr 285.2250
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 500 MW B, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado 150-jans1n6316cus/tr EAR99 8541.10.0050 50 1.4 v @ 1 a 5 µA @ 1.5 V 4.7 V 17 ohmios
JANTXV1N5528D-1/TR Microchip Technology Jantxv1n5528d-1/tr 26.0414
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N5528D-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7.5 V 8.2 V 40 ohmios
JANS1N6490DUS Microchip Technology Jans1n6490dus -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
1N1205A Microchip Technology 1N1205A 34.7100
RFQ
 ECAD 9087 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1205 Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1205ams EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 500 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
JANTX1N3037CUR-1 Microchip Technology Jantx1n3037cur-1 37.3500
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3037 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
SMBG5344CE3/TR13 Microchip Technology SMBG5344CE3/TR13 1.4400
RFQ
 ECAD 4326 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5344 5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 5.9 V 8.2 V 1.5 ohmios
JANTX1N6330DUS Microchip Technology Jantx1n6330dus 42.0900
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, B 1N6330 500 MW B, SQ-Melf descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 14 V 18 V 14 ohmios
LSM140GE3/TR13 Microchip Technology LSM140GE3/TR13 0.6900
RFQ
 ECAD 3349 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB LSM140 Schottky DO-215AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 580 MV @ 1 A 1 ma @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
JANTX1N4126UR-1/TR Microchip Technology Jantx1n4126ur-1/tr 8.5652
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N4126UR-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 38.8 V 51 V 300 ohmios
JANTX1N3004B Microchip Technology Jantx1n3004b -
RFQ
 ECAD 3666 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 69.2 V 91 V 35 ohmios
JANS1N4103CUR-1 Microchip Technology Jans1n4103cur-1 97.9650
RFQ
 ECAD 9138 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/435 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 7 V 9.1 V 200 ohmios
1N4745AP/TR12 Microchip Technology 1N4745AP/TR12 1.8900
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4745 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
JANTX1N4491US Microchip Technology Jantx1n4491us 14.3550
RFQ
 ECAD 2395 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1.5 W A, SQ-Melf - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 250 na @ 96 V 120 V 400 ohmios
JANTXV1N755C-1/TR Microchip Technology Jantxv1n755c-1/tr 11.9700
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N755C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 5 V 7.5 V 6 ohmios
CDLL6012B Microchip Technology CDLL6012B 2.7150
RFQ
 ECAD 7379 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - Alcanzar sin afectado 150-CDLL6012B EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 25 V 33 V 88 ohmios
S43120TS Microchip Technology S43120TS 112.3200
RFQ
 ECAD 8839 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Alcanzar sin afectado 150-S43120TS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1200 V 1.1 v @ 200 a 50 µA @ 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
JANTX1N3035BUR-1/TR Microchip Technology Jantx1n3035bur-1/tr 13.0739
RFQ
 ECAD 8011 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jantx1n3035bur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 32.7 V 43 V 70 ohmios
1N1186R Microchip Technology 1N1186R 74.5200
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental 1N1186 Polaridad Inversa Estándar DO-203AB (DO-5) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N1186RMS EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 110 A 10 µA @ 200 V -65 ° C ~ 175 ° C 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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